[发明专利]一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法

说明书

本发明提供一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法，该掩膜版包括：基板、以及在基板上形成的透光区域和非透光区域；非透光区域中，在基板上顺次设置有第一氧化膜层、遮光层和第二氧化膜层；第一氧化膜层用于对入射光经由基板反射后的反射光进行干涉相消，第二氧化膜层用于对待曝光板卡的反射光进行干涉相消。可见，本方案中，通过两层氧化膜层对反射光进行干涉相消，减少了反射的杂质光，能够提高曝光精度。此外，两层氧化膜层吸收部分反射光，进一步减少了反射的杂质光，能够进一步提高曝光精度。

技术领域

本发明涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法。

背景技术

在制作电子设备的过程中，通常需要利用掩膜版来形成各种图案。比如，在制作IC(Integrated Circuit，集成电路)、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)、PCB(PrintedCircuit Boards，印刷电路板)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)等各种器件的过程中，可以利用掩膜版来进行选择性曝光。

利用掩膜版进行选择性曝光的过程中，光线多次反射的杂质光会降低曝光精度。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法，以提高曝光精度。

基于上述目的，本发明实施例提供了一种掩膜版，包括：基板、以及在所述基板上形成的透光区域和非透光区域；所述非透光区域中，在所述基板上顺次设置有第一氧化膜层、遮光层和第二氧化膜层；所述第一氧化膜层用于对入射光经由所述基板反射后的反射光进行干涉相消，所述第二氧化膜层用于对待曝光板卡的反射光进行干涉相消。

可选的，所述第一氧化膜层包括第一部分膜层和第二部分膜层；所述第二部分膜层靠近所述透光区域，用于对所述透光区域的衍射光进行干涉相消；所述第一部分膜层用于对入射光经由所述基板反射后的反射光进行干涉相消。

可选的，所述第一部分膜层的折射率与膜厚的乘积为所述第二部分膜层的折射率与膜厚的乘积的一半。

可选的，所述第一部分膜层与所述第二部分膜层的折射率相同，所述第一部分膜层的膜厚为所述第二部分膜层的膜厚的一半。

可选的，所述第一部分膜层和所述第二氧化膜层的折射率和膜厚被如下算式限定：相位差＝曝光波长/2＝2*折射率*膜厚；

所述第二部分膜层的折射率和膜厚被如下算式限定：相位差＝曝光波长/2＝折射率*膜厚。

可选的，所述第一部分膜层与所述遮光层和所述第二氧化膜层相重合。

可选的，所述第一氧化膜层为MoOx层，所述第二氧化膜层为MoOx层，所述遮光层为金属层，所述基板为石英基板。

基于上述目的，本发明实施例还提供了一种掩膜版系统，包括：光源以及上述任意一种掩膜版；所述光源用于向所述掩膜版发射光线。

基于上述目的，本发明实施例还提供了一种掩膜版制备方法，包括：

在基板上沉积第一氧化膜层；

根据第一氧化膜层对应的图案，刻蚀所述第一氧化膜层；

在刻蚀后的第一氧化膜层上沉积遮光层；

根据遮光层对应的图案，刻蚀所述遮光层；

在刻蚀后的遮光层上沉积第二氧化膜层；

根据第二氧化膜层对应的图案，刻蚀所述第二氧化膜层。

可选的，所述遮光层对应的图案比所述第一氧化膜层对应的图案在曝光开口处内缩，所述遮光层对应的图案与所述第二氧化膜层对应的图案相同。