[发明专利]一种VCSEL芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种VCSEL芯片，包括芯片主体，其特征在于，所述芯片主体上设有出光窗口，所述出光窗口内设置有光栅结构，所述光栅结构的光栅周期随其中心距的增大而减少。

2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构的光栅周期Λ和中心距r之间满足以下条件式：

Λ＝k/rⁿ，n为任意正数，k为比例系数。

3.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构的深度大于或等于所述VCSEL芯片的发射光线在所述光栅结构中的波长。

4.根据权利要求3所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构的深度大于或等于268nm。

5.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构为圆形光栅或条形光栅，所述光栅结构通过蚀刻成型。

6.根据权利要求5所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构的材料为半导体材料或所述芯片主体的介质材料。

7.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述芯片主体包括依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层，所述光栅结构设置在所述p型限制层的顶部。

8.根据权利要求7所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述p型限制层内设有限流圈，所述p型限制层顶部设有上电极，所述n型限制层底部设有下电极，所述上电极的中心部位围成所述出光窗口。

9.根据权利要求8所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述芯片主体经刻蚀形成一台面，所述台面分布在所述n型限制层、所述有源区以及所述p型限制层上。

10.一种VCSEL芯片制造方法，其特征在于，所述VCSEL芯片为权利要求1-9任一项所述的VCSEL芯片，所述制造方法包括：

在衬底材料上外延生长形成芯片主体，所述芯片主体包括依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层；

对所述芯片主体进行刻蚀，以在所述芯片主体上形成一台面；

在所述p型限制层内氧化成型限流圈；

在所述p型限制层的顶部成型上电极，并在所述n型限制层底部成型下电极，所述上电极的中心部位围成出光窗口。

在所述出光窗口中蚀刻光栅结构。