[发明专利]一种硅片的制备方法和一种硅片、一种电池片有效
| 申请号： | 201911332838.X | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113089092B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 马欣宇;梁万松;赵卫;郑绍科;李江 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02;H01L31/042;H01L31/18 |
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| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制备 方法 电池 | ||
1.一种硅片的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
S1、熔化硅料并进行长晶，得到预制硅锭，对预制硅锭进行第一次降温，降至1320-1380℃，然后进行第一次保温，接着随炉冷却，得到硅锭；
S2、将硅锭进行开方及切片，得到预制硅片；
S3、对预制硅片进行分段退火处理，得到硅片；
所述分段退火处理包括：
S31、对预制硅片进行升温至1320-1360℃，然后进行第二次保温；
S32、第二次保温后，将预制硅片进行第二次降温，降至1150-1170℃，然后进行第三次保温；
S33、将预制硅片进行第三次降温，降至900℃，然后随炉冷却。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次降温的降温速率为0.2-1℃/min；
所述第一次保温的时间为60-120min。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述升温的升温速率为5-8℃/min；所述第二次保温的时间为60-120min。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二次降温的降温速率为3-7℃/min；所述第三次降温的降温速率为3-7℃/min；所述第三次保温的时间为60-120min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述开方的时间为550-600min，线速为12-15 m/s，抬速为1030-1050mm/min，硅锭尺寸为156.75mm×156.75mm×370mm；
所述的切片时间为120-160min，线速0.03-0.08m/s，硅片尺寸为156.75mm×156.75mm×0.19mm。
6.一种由权利要求1-5中任意一项所述的制备方法得到的硅片。
7.一种电池片，其特征在于，所述电池片包括如权利要求6所述的硅片。
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