[发明专利]一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关

权利要求书

1.一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括第一～第三NMOS晶体管（M1、M2、M3），第一～第三片上电阻器（R1、R2、R3），第一～第三片上电感器（L1、L2、L3），片上电容器（C），射频信号接收端口（RX），射频信号发射端口（TX），天线端口（ANT），第一、第二控制端口，以及接地端口（GND）；

所述的第一片上电感器（L1）、片上电容器（C）、天线端口（ANT）以及接地端口（GND）一起组成ANT支路；其中，第一片上电感器（L1）的一端与片上电容器（C）的一端连接，第一片上电感器（L1）的另一端连接到天线端口（ANT），片上电容器（C）的另一端连接到接地端口（GND）；

所述的第一、第二NMOS晶体管（M1、M2）与第一、第二片上电阻器（R1、R2），第二片上电感器（L2），第一控制端口，射频信号发射端口（TX），以及接地端口（GND）一起组成TX支路；其中，射频信号发射端口（TX）与第一NMOS晶体管（M1）的漏极相连，第一NMOS晶体管（M1）的源极与第二NMOS晶体管（M2）的漏极相连，第二NMOS晶体管（M2）的源极与接地端口（GND）连接，第一NMOS晶体管（M1）的栅极连接到第一片上电阻器（R1）的一端，第二NMOS晶体管（M2）的栅极连接到第二片上电阻器（R2）的一端，第一、第二片上电阻器（R1、R2）的另一端均连接到第一控制端口，第二片上电感器（L2）跨接在射频信号发射端口（TX）以及第一片上电感器（L1）与片上电容器（C）的连接点之间；

所述的第三NMOS晶体管（M3）与第三片上电阻器（R3）、第三片上电感器（L3）、第二控制端口、射频信号接收端口（RX）以及接地端口（GND）一起组成RX支路；其中，第三NMOS晶体管（M3）的漏极连接到射频信号接收端口（RX），第三NMOS晶体管（M3）的栅极与第三片上电阻器（R3）的一端相连，第三片上电阻器（R3）的另一端连接到第二控制端口，第三NMOS晶体管（M3）的源极与接地端口（GND）连接，第三片上电感器（L3）跨接在射频信号接收端口（RX）以及第一片上电感器（L1）与片上电容器（C）的连接点之间；

所述第一控制端口和第二控制端口分别为一正一负。