[发明专利]一种绝缘型热沉的半导体激光器、叠阵阵列和水平阵列在审
申请号: | 201911333527.5 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111370991A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 赵森;段磊 | 申请(专利权)人: | 深圳活力激光技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/40 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 赵宇 |
地址: | 518103 广东省深圳市宝安区福海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绝缘 型热沉 半导体激光器 阵阵 水平 阵列 | ||
1.一种绝缘型热沉的半导体激光器,包括热沉(9),热沉(9)包含有上下对称散热的微通道,其特征在于,所述热沉(9)上下分别对称设置有第一绝缘层(7)和第二绝缘层(8),第一绝缘层(7)上表面设置有第一导电层,第一导电层前端设置有第一芯片(1),第一芯片(1)后端设置有第一绝缘片(5),在第一芯片(1)和第一绝缘片(5)上设置有第一导电片(3);
第二绝缘层(8)下端设置有第二导电层,第二导电层前端设置有第二芯片(2),第二芯片(2)后端设置有第二绝缘片(6),在第二芯片(2)和第二绝缘片(6)上设置有第二导电片(4)。
2.根据权利要求1所述的绝缘型热沉的半导体激光器,其特征在于,所述第一导电层和第二导电层为镀金陶瓷结构,即含有镀金层或进行覆铜后镀金。
3.根据权利要求1所述的绝缘型热沉的半导体激光器,其特征在于,所述第一芯片(1)和第二芯片(2)通过焊料直接焊接在第一导电层和第二导电层的前端面。
4.根据权利要求1所述的绝缘型热沉的半导体激光器,其特征在于,所述第一芯片(1)和第二芯片(2)的P面设置在靠近热沉(9)的一侧。
5.一种绝缘型热沉的半导体激光器叠阵阵列,其特征在于,由至少三个半导体激光器沿着其慢轴方向上依次竖直排列而成。
6.一种绝缘型热沉的半导体激光器水平阵列,其特征在于,由至少三个半导体激光器沿着其慢轴方向上依次水平排列而成。
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