[发明专利]一种SOI顶层硅片的测量修饰系统

权利要求书

1.一种SOI顶层硅片的测量修饰系统，其特征在于：

所述SOI顶层硅片的测量修饰系统应用于一种SOI顶层硅片的测量修饰装置，所述SOI顶层硅片的测量修饰装置包括：控制终端、XRD装置、激光发生器、激光角度调节器、反射镜面、聚焦棱镜、SOI顶层硅片；所述控制终端分别与所述的XRD装置、激光发生器通过相互连接；所述XRD装置与所述SOI顶层硅片通过光路连接；所述的激光发生器、激光角度调节器、反射镜面、聚焦棱镜、SOI顶层硅片依次通过光路连接；

所述SOI顶层硅片的测量修饰系统，包括以下步骤：

步骤1：将SOI顶层硅片划分多个区域，每个区域通过坐标点标记；

步骤2：控制终端通过控制XRD装置，发射X射线以大于全反射角固定的角度入射到至SOI顶层硅片划分区域，并接收X射线反射信号，通过分析衍射图谱得到SOI顶层硅片划分区域的表面粗糙度；

步骤3：控制终端根据SOI顶层硅片划分区域的表面粗糙度、粗糙度阈值进行判定，以控制激光发生器修饰SOI顶层硅片划分区域。

2.根据权利要求1所述的SOI顶层硅片的测量修饰系统，其特征在于：

步骤1中所述每个区域通过坐标点标记为：

将所述第i个区域标记为(x_i,y_i)i∈[1,N],N表示SOI顶层硅片区域的数量为N。

3.根据权利要求1所述的SOI顶层硅片的测量修饰系统，其特征在于：

步骤2中所述SOI顶层硅片划分区域为第i个区域，具体标记为(x_i,y_i)i∈[1,N],N表示SOI顶层硅片区域的数量为N；

步骤2中所述通过分析得到SOI顶层硅片划分区域的表面粗糙度为：

控制终端通过分析X射线的反射率的变化来得到第i个区域的表面粗糙度，所述第i个区域的表面粗糙度为k_i,i∈[1,N],N表示SOI顶层硅片区域的数量为N。

4.根据权利要求1所述的SOI顶层硅片的测量修饰系统，其特征在于：

步骤3中所述根据SOI顶层硅片划分区域的表面粗糙度、粗糙度阈值进行判定为：

若k_i＞α，表示粗糙度不符合精度要求；

其中，i∈[1,N],N表示SOI顶层硅片区域的数量为N，α表示粗糙度阈值0.002μm；

若k_i≤α，表示粗糙度符合精度要求；

当粗糙度不符合精度要求时，步骤3中所述控制激光发生器修饰SOI顶层硅片划分区域具体为：

激光发射器发射的激光经过与其光路相连的激光角度调节器后，以合适的角度入射到反射镜面，入射激光经过反射镜面反射后再通过聚焦棱镜聚焦到SOI顶层硅片划分区域的表面；

所述SOI顶层硅片划分区域为所述第i个区域的表面粗糙度为k_i,i∈[1,N],N表示SOI顶层硅片区域的数量为N；

所述激光发射器发射的激光可以为连续激光或脉冲激光；

所述激光发射器发射的激光聚焦在所述SOI顶层硅片划分区域表面时，可以直接引起聚焦区域材料的去除或烧蚀，实现所述SOI顶层硅片划分区域表面的修饰；

当第i个区域粗糙度符合精度要求时，控制终端控制激光发生器停止工作，继而控住XRD装置进行下一个区域i+1区域的在线测量。