[发明专利]一种低光泽度仿古砖及其抛光方法

权利要求书

1.一种低光泽度仿古砖的抛光方法，其特征在于，包括：

（1）提供仿古砖坯体，所述仿古砖坯体包括底坯层以及依次设于所述底坯层上的底釉层、图案层和粒子釉层；

（2）采用240-500目的树脂磨片对所述仿古砖坯体进行粗磨；粗磨过程中通入水；

（3）采用600-2000目的树脂磨片对所述仿古砖坯体进行细磨；细磨过程中通入抛光液；

（4）采用150-300目的纤维磨轮对所述仿古砖坯体进行抛光，得到低光泽度仿古砖；抛光过程中通入抛光液；

其中，所述抛光液主要由以下重量份的原料制备而成：

改性氧化铝 5-15份，二氧化硅20-30份，水55-65份，硅烷偶联剂2-5份，分散剂5-8份，表面活性剂0.5-5份，有机碱1-5份，钝化剂0.5-5份；

所述抛光液的制备方法包括：

（1）制备改性氧化铝；

（2）将二氧化硅、硅烷偶联剂、分散剂混合均匀，并球磨负载0.2-1h，得到处理后二氧化硅；

（3）将改性氧化铝、处理后二氧化硅混合均匀，并加热至90-120℃，反应0.5-1h，得到复合磨粒；所述二氧化硅磨粒负载在所述改性氧化铝的外层；

（4）在水中加入表面活性剂，搅拌均匀后加入复合磨粒，然后边搅拌边加入钝化剂和有机碱，即得到仿古砖抛光液成品。

2.如权利要求1所述的低光泽度仿古砖的抛光方法，其特征在于，步骤（2）中，依次采用240目、300目、400目的树脂磨片对所述仿古砖坯体进行粗磨；

粗磨过程中树脂磨片的转速为1000-3000 rpm，树脂磨片对所述仿古砖坯体的压力为0.2-0.5 MPa，通入水的流量为300-1000 mL/min。

3.如权利要求1所述的低光泽度仿古砖的抛光方法，其特征在于，步骤（3）中，依次采用600目、800目、1000目、1200目的树脂磨片对所述仿古砖坯体进行细磨；

细磨过程中树脂磨片的转速为1000-3000 rpm，树脂磨片对所述仿古砖坯体的压力为0.1-0.3 MPa，通入抛光液的流量为100-500 mL/min。

4.如权利要求1所述的低光泽度仿古砖的抛光方法，其特征在于，步骤（4）中，依次采用180目、240目的纤维磨轮对所述仿古砖坯体进行抛光；

抛光过程中纤维磨轮的转速为2000-5000 rpm，纤维磨轮对所述仿古砖坯体的压力为0.1-0.3 MPa，通入抛光液的流量为50-200 mL/min。

5.如权利要求1-4任一项所述的低光泽度仿古砖的抛光方法，其特征在于，所述仿古砖坯体的光泽度为2-5度，表面粗糙度≥10 μm；

抛光后所述仿古砖坯体的光泽度为2-10度，表面粗糙度≤200 nm。

6.如权利要求1所述的低光泽度仿古砖的抛光方法，其特征在于，所述改性氧化铝由以下重量百分比的原料制成：

氧化铝 70-85%，氨基硅烷偶联剂0.5-5%，有机溶剂8-15%，水2-10%；

其中，所述改性氧化铝的平均粒径为10-100 nm，所述二氧化硅的平均粒径为5-20 nm；

其制备方法包括：

（1）将氨基硅烷偶联剂、水和有机溶剂混合均匀在50-80℃下混合反应20-60 min，得到混合液；

（2）将混合液与氧化铝混合，在60-90℃下搅拌混合20-40分钟，即得到改性氧化铝。

7.如权利要求6所述的低光泽度仿古砖的抛光方法，其特征在于，所述有机溶剂选用甲醇、乙醇、丙醇、丙酮中的一种或多种；

所述氨基硅烷偶联剂选用γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-（β-氨乙基）-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-（β-氨乙基）-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷中的一种或多种。