[发明专利]半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件，其包含一半导体叠层，具有一第一型半导体结构、一活性结构以及一第二型半导体结构设于该第一型半导体结构上，该第二型半导体结构具有一掺杂浓度；一第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一电流局限区域；及一第二部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一第一型重掺杂区域位于该第二型半导体结构中，该第一型重掺杂区域具有一掺杂浓度，其中，该第一型重掺杂区域的该掺杂浓度高于该第二型半导体结构的该掺杂浓度。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，特别是涉及一种具有重掺杂区域的半导体元件。

背景技术

这里的陈述仅提供与本发明有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。

常见的发光元件，例如：发光二极管(Light Emitting Diode，LED)或垂直共振腔表面发光激光(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers，VCSEL)，需要额外连接静电防护元件，例如：基纳二极管(Zener Diode)或瞬态抑制二极管(Transient Voltagesuppression)，以避免工作中的静电电压造成发光元件的损毁。举例而言，可以通过封装制作工艺，将发光元件与相对应的静电防护元件配置于同一电路结构，以制造具有抗静电功能的发光组件。

发明内容

有鉴于此，本发明部分实施例提供一种半导体元件。

本发明一实施例的半导体元件包含一半导体叠层，具有一第一型半导体结构、一活性结构以及一第二型半导体结构设于该第一型半导体结构上，该第二型半导体结构具有一掺杂浓度；一第一部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一电流局限区域；及一第二部分，具有一部分的第一型半导体结构、活性结构及第二型半导体结构，且包含一第一型重掺杂区域位于该第二型半导体结构中，该第一型重掺杂区域具有一掺杂浓度，其中，该第一型重掺杂区域的该掺杂浓度高于该第二型半导体结构的该掺杂浓度。

以下通过具体实施例配合所附的附图详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1为本发明一实施例的半导体元件的一俯视示意图；

图2为本发明一实施例的半导体元件沿图1的AA’剖面线的侧视示意图；

图3为本发明另一实施例的半导体元件的侧视示意图；

图4为本发明一实施例的半导体元件的一俯视示意图；

图5为本发明一实施例的半导体元件沿图4的BB’剖面线的侧视示意图；

图6为本发明另一实施例的半导体元件的侧视示意图；

图7为本发明一实施例的半导体元件的一俯视示意图。

符号说明

1 第一型半导体结构

10 活性结构

2 第二型半导体结构

20 第一部分

201a 内轮廓

201b 外轮廓

201 电流局限区域

202 电流导通区域

22 第二部分