[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201911335174.2 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN111048644B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 陈昭兴;蒋宗勋;廖健智;庄文宏;蔡旻谚;胡柏均 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/12;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包含:
半导体发光叠层,包含具有第一电性的第一半导体层、具有第二电性的第二半导体层、以及活性层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间;
第一导电层,位于该第二半导体层上,并电连接该第二半导体层;
第一绝缘层,位于该第一导电层上;
第二导电层,位于该第二半导体层上,并接触该第一半导体层;
缓冲部,位于该半导体发光叠层上;
其中于一上视图中,该缓冲部位于该发光元件的一中心区域且为该第二导电层所围绕。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中从该发光元件的剖视图来看,该缓冲部与该第二导电层共平面。
3.如权利要求1所述的发光元件,还包含穿过该第二半导体层及该活性层的第一凹陷区,以裸露该第一半导体层的一上表面,其中该缓冲部不与第一凹陷区重叠。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二导电层的外缘突出于该活性层以及该第二半导体层的外缘,该第二导电层的该外缘与该第一半导体层物理性接触以形成一周围接触区。
5.如权利要求1所述的发光元件,其中该缓冲部的材料包含金属,且与该第一导电层或该第二导电层电性隔离。
6.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一导电层包含透明导电层。
7.如权利要求1所述的发光元件,其中该缓冲部与该第一导电层或该第二导电层包含相同的金属材料。
8.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二导电层直接接触该第一半导体层。
9.如权利要求1所述的发光元件,还包含位于该第二导电层上的第二绝缘层,其中该第二绝缘层位于该第二导电层与该缓冲部之间。
10.如权利要求9所述的发光元件,还包含第一电极垫以及第二电极垫,其中该第一电极垫位于该第二绝缘层上,以及该第二电极垫位于该第二绝缘层上。
11.如权利要求10所述的发光元件,其中从该发光元件的上视图来看,该缓冲部位于该第一电极垫与该第二电极垫之间。
12.如权利要求9所述的发光元件,其中该第二绝缘层覆盖该缓冲部及该第二导电层的一侧壁。
13.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二导电层具有二延伸部,其中在一上视图中,该缓冲部位于该二延伸部之间。
14.如权利要求1所述的发光元件,其中该缓冲部未被该第二导电层所覆盖。
15.一种发光元件,其特征在于,包含:
半导体发光叠层,包含具有第一电性的第一半导体层、具有第二电性的第二半导体层、以及活性层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间;
第一导电层,位于该第二半导体层上,并电连接该第二半导体层;
第二导电层,位于该第二半导体层上,并接触该第一半导体层;
缓冲部,位于该半导体发光叠层上,并电连接该第一导电层且为该第二导电层所围绕;其中于一上视图中,该缓冲部位于该发光元件的一中心区域。
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