[发明专利]一种低粗糙度MLCC制程用离型膜基膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低粗糙度MLCC制程用离型膜基膜，包括第一层、第二层和第三层，其特征在于，所述第三层的成分及重量份如下：

第三层改性聚酯基料 50重量份～100重量份

第三层表面改性料 0重量份～50重量份

所述第三层改性聚酯基料的成分及重量份如下：

第一共聚酯 1重量份～20重量份

第三层聚酯基料 49重量份～80重量份

所述第一共聚酯的分子量介于20000～40000，所述第一共聚酯由二甲酸与乙二醇共缩聚而制得，所述二甲酸包括2,6-萘二甲酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸及邻苯二甲酸，所述2,6-萘二甲酸、所述对苯二甲酸、所述间苯二甲酸及所述邻苯二甲酸的重量比介于(1～10)：(50～80)：(0～5)：(0～5)；所述第三层改性聚酯基料的粘度介于0.60dL/g～0.80dL/g；

所述第三层表面改性料的成分及重量份如下：

纳米无机材料 0.1重量份～10重量份

第二共聚酯 15重量份～40重量份

所述第二共聚酯的分子量介于20000～30000，所述第二共聚酯由苯二甲酸与乙二醇共缩聚而制得，所述苯二甲酸由对苯二甲酸、间苯二甲酸及邻苯二甲酸混合而成，所述对苯二甲酸、所述间苯二甲酸及所述邻苯二甲酸的重量比介于60：(15～35)：5，所述第三层表面改性料的粘度介于0.60dL/g～0.75dL/g。

2.根据权利要求1所述的低粗糙度MLCC制程用离型膜基膜，其特征在于，所述纳米无机材料包括纳米二氧化硅、纳米硫酸钡、纳米三氧化二铝、纳米氧化镁、纳米二氧化钛、纳米高岭土、纳米碳酸钙中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的低粗糙度MLCC制程用离型膜基膜，其特征在于，所述第一层的厚度介于0.5μm～5μm；所述第二层的厚度介于8μm～40μm；所述第三层的厚度介于0.5μm～5μm。

4.根据权利要求1所述的低粗糙度MLCC制程用离型膜基膜，其特征在于，所述第三层聚酯基料包括PET、APET、CPET中一种，所述第三层聚酯基料的特性粘度介于0.60dL/g～0.80dL/g，所述第三层聚酯基料的熔点介于255℃～265℃，所述第三层聚酯基料的分子量介于20000～30000。

5.根据权利要求1所述的低粗糙度MLCC制程用离型膜基膜，其特征在于，所述第一层成分及重量份如下：

第一层改性聚酯基料 50重量份～90重量份

第一层聚酯母料 10重量份～50重量份

所述第一层聚酯母料的粒径为2um以下，所述第二层由PET、APET、CPET中一种组成。

6.根据权利要求5所述的低粗糙度MLCC制程用离型膜基膜，其特征在于，所述第一层改性聚酯基料为PET、APET、CPET中一种，所述第一层聚酯母料包括PET、APET、CPET中一种。