[发明专利]芯片封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构的形成方法，包括：

将一芯片接合至一第一基底的一第一表面；

在该第一基底的一第二表面之上形成一缓冲环，其中该第一表面与该第二表面相反；

在该缓冲环之上形成一虚设凸块，其中该缓冲环围绕该虚设凸块，且该虚设凸块与该芯片电气绝缘；以及

切穿该第一基底与该虚设凸块以形成一切割基底与一切割虚设凸块，其中该切割虚设凸块位于该切割基底的一角部之上，该切割虚设凸块的一第一侧壁与该切割基底的一第二侧壁大致上共平面，且该切割虚设凸块的一第三侧壁与该切割基底的一第四侧壁大致上共平面。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其中该第一侧壁邻近该第三侧壁，且该第二侧壁邻近该第四侧壁。

3.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：

在切穿该第一基底与该虚设凸块之前，在该虚设凸块之上形成一虚设焊料层，其中切穿该第一基底与该虚设凸块的步骤还包括切穿该虚设焊料层以形成一切割虚设焊料层。

4.如权利要求3所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：

回焊该切割虚设焊料层以形成一虚设焊球。

5.如权利要求4所述的芯片封装结构的形成方法，其中在该虚设焊球的一上视图中，该虚设焊球具有一L形或一实质上的四分之一圆形。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：

在该第一基底的该第二表面之上形成该虚设凸块时，在该第一基底的该第二表面之上形成一凸块，其中该凸块电性连接至该芯片。

7.如权利要求6所述的芯片封装结构的形成方法，其中该虚设凸块较该凸块薄。

8.如权利要求6所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：

在切穿该第一基底与该虚设凸块之前，在该凸块之上与该虚设凸块之上分别形成一焊料层与一虚设焊料层，其中该虚设焊料层较该焊料层薄，且切穿该第一基底与该虚设凸块的步骤还包括切穿该虚设焊料层以形成一切割虚设焊料层。

9.如权利要求8所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：

在切穿该第一基底、该虚设凸块以及该虚设焊料层之后，回焊该焊料层与该切割虚设焊料层以分别形成一焊球与一虚设焊球，其中该虚设焊球较该焊球薄。

10.如权利要求9所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：

经由该焊球将该切割基底接合至一第二基底。

11.如权利要求10所述的芯片封装结构的形成方法，其中该虚设焊球与该第二基底分隔开，且该虚设焊球与该第二基底电气绝缘。

12.一种芯片封装结构的形成方法，包括：

将一芯片接合至一第一基底的一第一表面；

在该第一基底的一第二表面之上形成多个缓冲环，其中该第一表面相对于该第二表面；

在所述多个缓冲环之上形成一凸块与一虚设凸块，其中所述多个缓冲环围绕该凸块和该虚设凸块，该凸块电性连接至该芯片，且该虚设凸块与该芯片电气绝缘；

切穿该第一基底与该虚设凸块以形成一切割基底与一切割虚设凸块，其中该切割虚设凸块位于该切割基底的一角部之上，该切割虚设凸块的一第一侧壁与该切割基底的一第二侧壁大致上共平面；以及

经由该凸块与该虚设凸块将该切割基底接合至一第二基底。

13.如权利要求12所述的芯片封装结构的形成方法，其中该切割虚设凸块的一第三侧壁与该切割基底的一第四侧壁大致上共平面。