[发明专利]一种低相位噪声中频振荡信号产生电路及方法有效
申请号: | 201911337100.2 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111030686B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 徐娆美;杨同敏;李煜溪;么晓坤 | 申请(专利权)人: | 北京无线电计量测试研究所 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 李潇 |
地址: | 100854 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 相位 噪声 中频 振荡 信号 产生 电路 方法 | ||
1.一种低相位噪声中频振荡信号产生电路,其特征在于,包括:差分电路、直接数字频率综合器、控制模块、锁相环、第一晶体振荡器和第二晶体振荡器;
所述第一晶体振荡器在铷原子频标作用下输出第一中频信号;
所述第一中频信号经倍频产生第二中频信号,接所述差分电路的输入端;所述差分电路的第一输出端和第二输出端接所述直接数字频率综合器的两个时钟输入端,所述差分电路的第一输出端和第二输出端产生与所述第二中频信号频率相同的时钟信号;
所述控制模块的输出端接所述直接数字频率综合器的控制接口,所述控制模块用于控制所述直接数字频率综合器的工作状态;
所述直接数字频率综合器的输出端为参考信号,接所述锁相环第一输入端;
所述第二晶体振荡器的第一输出端接所述锁相环第二输入端;
所述锁相环的输出端接所述晶体振荡器的输入端;
所述第二晶体振荡器第二输出端输出锁相后的所述低相位噪声中频振荡信号。
2.如权利要求1所述的产生电路,其特征在于,所述第一中频信号接所述控制模块的输入端。
3.如权利要求1所述低相位噪声中频振荡信号产生电路,其特征在于,
所述第一晶体振荡器的输出经高阶倍频电路输入到铷原子频标物理部分,再经过伺服电路对第一晶体振荡器进行校准,产生第一中频信号。
4.如权利要求1所述低相位噪声中频振荡信号产生电路,其特征在于,
所述第一中频信号为10MHz或12.5MHz。
5.如权利要求1所述低相位噪声中频振荡信号产生电路,其特征在于,
所述第一中频信号的平均1Hz相噪为-90dBc~-80dBc。
6.如权利要求1所述低相位噪声中频振荡信号产生电路,其特征更在于,
所述第一中频信号1s稳定度为1×10-11。
7.如权利要求1所述低相位噪声中频振荡信号产生电路,其特征在于,
所述锁相环的滤波器带宽为3Hz。
8.如权利要求1所述低相位噪声中频振荡信号产生电路,其特征在于,
所述参考信号频率为10MHz;所述低相位噪声中频振荡信号的频率为10MHz。
9.如权利要求1所述低相位噪声中频振荡信号产生电路,其特征在于,所述第一中频信号经倍频电路产生第二中频信号,所述倍频电路为4倍频电路。
10.一种低相位噪声中频振荡信号产生方法,用于权利要求1-9任一所述电路,其特征在于,第一晶体振荡器在铷原子频标校准下产生第一中频信号;
所述第一中频信号经倍频生成第二中频信号;
将所述第二中频信号转变成两路相同的时钟信号输入直接数字频率综合器的时钟端口;
将所述直接数字频率综合器输出的参考信号和所述第二晶体振荡器产生的晶振信号输入所述锁相环进行锁相;
锁相后的所述第二晶体振荡器输出低相位噪声信号。
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