[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201911338115.0 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111384125A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | S-Y·郑 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙东喜;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基准子像素,所述基准子像素在基板上设置有单个发光层;
混合子像素,所述混合子像素在所述基板上设置有彼此交叠的两个或更多个发光层以发射不同颜色的光;
电荷产生层,所述电荷产生层在所述混合子像素处位于所述混合子像素的所述发光层之间以发射不同颜色的光;
第一电极,所述第一电极分别位于所述基准子像素的所述发光层下方和所述混合子像素的发光层中的下部的一个发光层下方;以及
第二电极,所述第二电极在所述基准子像素的所述发光层上方和所述混合子像素的发光层中的上部的一个发光层上方。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述基准子像素是第一子像素至第三子像素中的一个或更多个,所述第一子像素至所述第三子像素中的每个子像素设置有第一发光层至第三发光层中的相关联的一个发光层作为单个发光层;并且
所述混合子像素的发射不同颜色的光的两个发光层分别是所述第一子像素至所述第三子像素的所述第一发光层至所述第三发光层中的至少两个发光层的延伸部。
3.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
堤,所述堤设置在所述基准子像素和所述混合子像素之间的边界处。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述基准子像素处的所述第一发光层至所述第三发光层中的每一个延伸到与所述基准子像素相邻的至少一个混合子像素,并且在至少一个基准子像素、至少一个混合子像素以及它们之间的堤上方连续。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第一发光层具有在430nm至480nm的波长范围内的峰值波长;
所述第二发光层具有在600nm至650nm的波长范围内的峰值波长;并且
所述第三发光层具有在500nm至580nm的波长范围内的峰值波长。
6.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
公共空穴传输层,所述公共空穴传输层在所述基准子像素处设置在所述基准子像素的所述第一电极与所述第一发光层至所述第三发光层中的作为所述基准子像素的所述单个发光层的一个发光层之间;以及
公共电子传输层,所述公共电子传输层在所述基准子像素处设置在所述第一发光层至所述第三发光层中的作为所述基准子像素的所述单个发光层的一个发光层与所述第二电极之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述公共空穴传输层在所述混合子像素的所述第一电极与所述混合子像素的所述发光层中的最下方的一个发光层之间连续地延伸通过混合子像素,
其中,所述公共电子传输层在所述混合子像素的所述发光层中的最上方的一个发光层与所述第二电极之间连续地延伸通过所述混合子像素。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述混合子像素具有层压结构,在所述层压结构中,所述第一发光层的延伸部、第一电荷产生层、所述第二发光层的延伸部、第二电荷产生层以及所述第三发光层的延伸部按照该顺序从靠近所述第一电极的一侧开始在所述混合子像素的所述第一电极和所述第二电极之间依次层压。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个设置为与所述混合子像素相邻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的