[发明专利]具有防潮结构的有机发光二极管显示面板在审
申请号: | 201911338214.9 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111415958A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 蔡宗廷;A·J·劳德巴里;魏全生;丁汉锜;崔宰源;林建宏;高乃智;张世昌;叶信宏;石井孝英;常鼎国;陈宇宏;刘豫文;白育全;A·林 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李兴斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 防潮 结构 有机 发光二极管 显示 面板 | ||
1.一种显示器,包括:
基板,所述基板具有面板边缘;
在所述基板上形成的薄膜晶体管(TFT)层,其中有机发光二极管显示器像素结构形成在所述显示器的有效区域内的所述TFT层中;
阳极层和阴极层,所述阳极层和阴极层在所述TFT层上方形成;
有机发射层,所述有机发射层形成在所述阳极层和所述阴极层之间并且从所述有效区域一直延伸到所述面板边缘;以及
至少部分地穿过所述TFT层形成的有机发射层断开结构,其中所述有机发射层断开结构被配置为防止湿气透过所述有机发射层进入所述显示器的所述有效区域中。
2.根据权利要求1所述的显示器,其中所述有机发射层断开结构在所述有机发射层中形成一个或多个间隙。
3.根据权利要求1所述的显示器,其中所述有机发射层断开结构仅部分地穿过所述TFT层而形成。
4.根据权利要求1所述的显示器,其中所述有机发射层断开结构包括至少部分地穿过所述TFT层形成的沟槽。
5.根据权利要求4所述的显示器,其中所述沟槽具有扩大的侧壁,所述侧壁形成没有有机发射材料的悬垂部分。
6.根据权利要求4所述的显示器,其中所述沟槽具有独立蚀刻的没有有机发射材料的底切部分。
7.根据权利要求4所述的显示器,其中所述沟槽具有带多个层级的凸部的侧壁,并且其中所述凸部中的每个凸部下方的部分没有有机发射材料。
8.根据权利要求4所述的显示器,其中所述沟槽在所述沟槽的最顶部开口处形成底切部分。
9.根据权利要求4所述的显示器,其中所述沟槽在所述沟槽的所述最顶部开口和底部之间的中间位置处形成底切部分。
10.根据权利要求4所述的显示器,其中所述沟槽在所述沟槽的仅一侧上形成底切部分。
11.根据权利要求1所述的显示器,其中所述有机发射层断开结构包括至少部分地穿过所述TFT层形成的多个沟槽。
12.根据权利要求1所述的显示器,还包括:
形成在所述基板上的止裂器结构,其中所述止裂器结构被配置为防止裂纹从所述面板边缘传播到所述显示器中,并且其中所述有机发射层断开结构插置在所述止裂器结构和所述显示器的所述有效区域之间。
13.根据权利要求1所述的显示器,还包括:
形成在所述基板上的止裂器结构,其中所述止裂器结构被配置为防止裂纹从所述面板边缘传播到所述显示器中,并且其中所述有机发射层断开结构形成在超出所述止裂器结构的所述面板边缘处。
14.根据权利要求1所述的显示器,其中所述有机发射层断开结构包括具有底切区域的岛结构,所述底切区域形成在所述岛结构的至少一侧上并且没有有机发射材料。
15.一种制造显示器的方法,包括:
获取基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管(TFT)层;
至少部分地穿过所述TFT层形成有机发射层间隙生成结构;
在所述TFT层上形成阳极层;以及
在所述阳极层上方形成有机发射层,其中有机发射层间隙生成结构在所述有机发射层的形成期间在所述有机发射层中引入一个或多个间隙以终止所述有机发射层中的湿气渗透路径。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述基板超过边缘,并且所述有机发射层延伸至所述基板的所述边缘。
17.根据权利要求15所述的方法,其中形成所述有机发射层包括执行化学蒸镀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的