[发明专利]一种功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括第一导电类型外延层；

第一导电类型阱区，位于所述第一导电类型外延层中，所述第一导电类型阱区的顶面低于所述第一导电类型外延层的顶面，所述第一导电类型阱区的底面高于所述第一导电类型外延层的底面；

第一栅极结构与第二栅极结构，位于所述第一导电类型外延层上，所述第一栅极结构自下而上依次包括第一栅介质层与第一栅导电层，所述第二栅极结构自下而上依次包括第二栅介质层与第二栅导电层，所述第一导电类型阱区位于所述第一栅导电层与所述第二栅导电层之间；

分立设置的且均为第二导电类型的第一体区、第二体区及第三体区，位于所述第一导电类型外延层中，在所述第一栅导电层指向所述第二栅导电层的方向上，所述第一体区、所述第二体区及所述第三体区依次排列，所述第一体区与所述第二体区分别位于所述第一栅导电层的相对两侧并与所述第一栅导电层在垂直方向上部分交叠，所述第二体区与所述第三体区分别位于所述第二栅导电层的相对两侧并与所述第二栅导电层在垂直方向上部分交叠，所述第二体区的顶面与所述第一导电类型外延层的顶面齐平，所述第二体区的底面位于所述第一导电类型阱区的顶面与底面之间，所述第一导电类型阱区与所述第二体区构成PN结；

第一导电类型的第一源区与第二源区，所述第一源区位于所述第一体区中，所述第二源区位于所述第三体区中。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述第一导电类型阱区的宽度小于所述第二体区的宽度。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述第一栅介质层及所述第二栅介质层的材质包括二氧化硅，所述第一栅导电层及所述第二栅导电层的材质包括多晶硅。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述功率器件还包括位于所述基板中的终端保护结构，所述终端保护结构包围所述功率器件的有源区，所述第一导电类型阱区位于所述有源区中。

5.根据权利要求4所述的功率器件，其特征在于：所述终端保护结构包括场板及场限环中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述功率器件还包括绝缘层、多个接触孔、第二导电类型的第一接触区、第二导电类型的第二接触区及导电金属层，所述绝缘层位于所述第一导电类型外延层上并覆盖所述第一栅极结构与所述第二栅极结构，所述接触孔位于所述绝缘层中，所述第一接触区位于所述第一体区中并与所述第一源区接触，所述第二接触区位于所述第三体区中并与所述第二源区接触，所述导电金属层位于所述接触孔中及所述绝缘层上，并与所述第一接触区及所述第二接触区连接。

7.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述功率器件包括平面栅型VDMOS及平面栅型IGBT中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述基板还包括位于所述第一导电类型外延层下方的第一导电类型重掺杂层。

9.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，或者所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。