[发明专利]半导体封装件

说明书

本发明的技术思想包括一种半导体封装件，包括：半导体芯片，其包括设置在第一表面上的芯片焊盘；外部焊盘，其与所述半导体芯片的所述芯片焊盘电连接；外部连接端子，其遮盖所述外部焊盘；以及中间层，其设置在所述外部焊盘与所述外部连接端子之间，且包括第三金属材料，所述第三金属材料不同于包括在所述外部焊盘中的第一金属材料和包括在所述外部连接端子中的第二金属材料。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月24日提交的韩国专利申请No.10-2018-0168468、于2019年04月02日提交的韩国专利申请No.10-2019-0038610、于2019年04月02日提交的 韩国专利申请No.10-2019-0038611、于2019年04月18日提交的韩国专利申请 No.10-2019-0045644以及于2019年06月11日提交的韩国专利申请 No.10-2019-0068803的优先权和权益，其通过引用合并于此用于所有目的，如同在此 完全阐述一样。

技术领域

本发明的技术构思涉及半导体封装件，更详细地涉及一种晶圆级封装件(waferlevel package)。

背景技术

通常，对通过对晶圆进行各种半导体工艺而制备的半导体芯片进行半导体封装工艺来制造半导体封装件。最近，为了节省半导体封装件的生产成本，提出了一种晶圆 级封装技术，其在晶圆级进行半导体封装工艺，且将经过半导体封装工艺的晶圆级的 半导体封装件逐个切割。

发明内容

本发明的技术构思的目的在于提供半导体封装件以及其制造方法。

为了解决上述技术问题，本发明的技术思想提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，其包括设置在第一表面上的芯片焊盘；外部焊盘，其与所 述半导体芯片的所述芯片焊盘电连接；外部连接端子，其遮盖所述外部焊盘；以及中 间层，其设置在所述外部焊盘与所述外部连接端子之间且包括第三金属材料，所述第 三金属材料不同于包括在所述外部焊盘中的第一金属材料和包括在所述外部连接端子 中的第二金属材料。

根据示例性的实施例，所述中间层的所述第三金属材料包括金(Au)。

根据示例性的实施例，所述半导体封装件还包括在所述半导体芯片的第一表面上的绝缘层，所述外部连接端子遮盖所述外部焊盘的侧壁，且与所述绝缘曾的上表面面 接触(surface contact)。

根据示例性的实施例，半导体封装件的特征在于，对于与所述半导体芯片的第一表面平行的第一方向，在所述外部焊盘的所述侧壁的最上端与所述外部连接端子的外 部表面之间，所述外部连接端子的沿着所述第一方向的厚度为10um至约30um之间。

根据示例性的实施例，半导体封装件的特征在于，还包括在所述半导体芯片的第一表面上的绝缘层，对于垂直于所述半导体芯片的第一表面的第二方向，以所述绝缘 层的上表面为准，所述外部焊盘的沿着所述第二方向的高度为10um至50um之间。

根据示例性实施例，半导体封装件的特征在于还包括布线图案，其在所述半导体芯片的芯片焊盘与所述外部焊盘之间延长且电连接所述芯片焊盘与所述外部焊盘。

根据示例性的实施例，所述半导体封装件包括扇出(fan-out)形状的半导体封装件。

为了解决上述的技术问题，本发明的技术思想提供一种半导体封装件，包括：半导体芯片，其包括设置在第一表面上的芯片焊盘；外部焊盘，其与所述半导体芯片的 所述芯片焊盘电连接；以及外部连接端子，其遮盖所述外部焊盘且包括焊锡(solder)， 其中，所述外部连接端子还包括第二金属材料，所述第二金属材料不同于包括在所述 焊锡和所述外部焊盘中的第一金属材料。

根据示例性的实施例，半导体封装件的特征在于所述第二金属材料占所述外部连接端子的整个重量的0.00001wt％至1wt％之间。