[发明专利]一种基于二极管实现的芯片级联电路有效
| 申请号： | 201911338629.6 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111146515B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李世彬;顾鹏展;蒲熙;朱子诚 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01M10/42 | 分类号： | H01M10/42 |
| 代理公司： | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人： | 廖曾 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二极管 实现 芯片 级联 电路 | ||
1.一种基于二极管实现的芯片级联电路，设置在锂电池保护芯片内，其特征在于：包括电压控制电路、模拟器件模块与反相器模块，电压控制电路连接模拟器件模块，模拟器件模块连接反相器模块，所述电压控制电路和模拟器件模块上皆形成有锂电池保护芯片的外部端口，所述反相器模块上形成有锂电池保护芯片的内部端口；所述电压控制电路包括二极管D101、二极管D100、电阻R103，二极管D101的第一端与模拟器件模块相连接，二极管D101的第二端通过电阻R103连接二极管D100的第一端，二极管D100的第二端形成锂电池保护芯片的CC/DC外部端口，且二极管D100的第二端与模拟器件模块相连接，所述二极管D101的第二端形成锂电池保护芯片的Vcc外部端口。
2.根据权利要求1所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：在所述二极管D100的第二端上还连接有电阻R102，且电阻R102的另一端为锂电池保护芯片的CC/DC外部端口。
3.根据权利要求1所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：所述二极管D101采用齐纳二极管，所述二极管D100采用普通二极管，且二极管D101的负极和二极管D100的负极皆与电阻R103连接。
4.根据权利要求2或3所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：所述模拟器件模块包括MOS管Q108、MOS管Q107、MOS管Q109及MOS管Q110，在MOS管Q108的栅极上连接有电阻R105形成锂电池保护芯片的Vdd外部端口，MOS管Q108的漏极连接二极管D101的第一端，且MOS管Q108的漏极通过电阻R104连接MOS管Q107的栅极，MOS管Q107的漏极连接二极管D100的第二端，MOS管Q107的源极分别与MOS管Q110的栅极和MOS管Q109的漏极相连接，MOS管Q109的栅极上连接有电阻R106，且电阻R106的另一端连接锂电池保护芯片的Vdd外部端口，MOS管Q110的漏极与反相器模块相连接，MOS管Q110的源极形成锂电池保护芯片的GND外部端口。
5.根据权利要求4所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：在所述MOS管Q108的源极上还设置有恒流源I1，在所述MOS管Q109的源极上亦设置有恒流源I2、在所述MOS管Q110的漏极上亦设置有恒流源I3。
6.根据权利要求1、2、3或5所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：所述反相器模块包括反相器A111和反相器A112，且模拟器件模块连接反相器A111的输入端，反相器A111的输出端连接反相器A112的输入端，反相器A112的输出端形成CC_in/DC_in锂电池保护芯片内部端口。
7.根据权利要求1、2、3或5所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：在所述锂电池保护芯片的内部端口连接有锂电池保护芯片内部的逻辑控制模块。
8.根据权利要求7所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：所述芯片级联电路在进行级联时逻辑控制模块连接锂电池保护芯片的控制端口CDC和控制端口DDC。
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