[发明专利]一种用于恒定导通时间控制模式开关电源的纹波注入电路

权利要求书

1.一种用于恒定导通时间控制模式开关电源的纹波注入电路，其特征在于，包含纹波电压产生电路及与纹波电压产生电路输出端连接的纹波注入电流产生电路。

2.如权利要求1所述的一种用于恒定导通时间控制模式开关电源的纹波注入电路，其特征在于，所述纹波电压产生电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容；

所述第五电阻的一端分别与第四电阻的一端、第一电容的正端连接，所述第一电容的负端接地，所述第四电阻的另一端分别与第三电阻的一端、第二电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端接地，所述第二电阻的另一端与第二电容的正端连接；所述第二电容的负端接地。

3.如权利要求2所述的一种用于恒定导通时间控制模式开关电源的纹波注入电路，其特征在于，纹波注入电流产生电路包括第一P型三极管、第二P型三极管、第一N型三极管、第二N型三极管、第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管和第一电阻；

所述第一P型三极管的基极与纹波电压产生电路中的第二电阻一端和第二电容正端的连接点连接，其集电极与地连接，发射极同时与第一P型MOS管的漏极、第一N型三极管的基极连接；

所述第二P型三极管的基极与纹波电压产生电路中的第三电阻一端、第四电阻一端和第二电阻一端三者的连接点连接，其集电极与地连接，发射极同时与第二P型MOS管的漏极、第二N型三极管的基极连接；

所述第一N型三极管的基极同时与第一P型三极管的发射极、第一P型MOS管的漏极连接，第一N型三极管的集电极与第三P型MOS管的栅极、第四P型MOS管的栅极、第四P型MOS管的漏极连接，第一N型三极管的发射极与第三N型MOS管的漏极、第一电阻的一端连接；

所述第二N型三极管的基极同时与第二P型三极管的发射极、第二P型MOS管的漏极连接，第二N型三极管的集电极同时与第六P型MOS管的栅极、第五P型MOS管的栅极、第五P型MOS管的漏极连接，第一N型三极管的发射极同时与第四N型MOS管的漏极、第一电阻的另一端连接；

所述第一P型MOS管的漏极同时与第一P型三极管的发射极、第一N型NPN管的基极连接；

所述第二P型MOS管的漏极同时与第二P型三极管的发射极、第二N型三极管的基极连接；

所述第三P型MOS管的栅极同时与第四P型MOS管的栅极、第四P型MOS管的漏极、第一N型三极管的集电极连接；第三P型MOS管的漏极同时与第一N型MOS管的漏极、栅极连接；

所述第四P型MOS管的栅极同时与第三P型MOS管的栅极、第四P型MOS管的漏极、第一N型三极管的集电极连接，第四P型MOS管的漏极同时与第四P型MOS管的栅极、第三P型MOS管的栅极、第一N型三极管的集电极连接；

所述第五P型MOS管的栅极同时与第六P型MOS管的栅极、第五P型MOS管的漏极、第二N型三极管的集电极连接，第五P型MOS管的漏极同时与第五P型MOS管的栅极、第六P型MOS管的栅极、第二N型三极管的集电极连接；

所述第六P型MOS管的栅极同时与第五P型MOS管的栅极、第五P型MOS管的漏极、第二N型三极管的集电极连接，第六P型MOS管的漏极与第二N型MOS管的漏极连接；

所述第一N型MOS管的栅极同时与第一N型MOS管的漏极、第三P型MOS管的漏极、第二N型MOS管的栅极连接，第一N型MOS管的源极、衬底均与地连接；

所述第二N型MOS管的栅极同时与第一N型MOS管的栅极、第一N型MOS管的漏极、第三P型MOS管的漏极连接，第二N型MOS管的漏极与第六P型MOS管的漏极连接，第二N型MOS管源极、衬底均与地连接；

所述第三N型MOS管的漏极同时与第一N型三极管的发射极、第一电阻的一端连接，第三N型MOS管的源极、衬底均与地连接；

所述第四N型MOS管的漏极同时与第二N型三极管的发射极、第一电阻的另一端连接，第四N型MOS管的源极、衬底均与地连接。