[发明专利]适用2G到5G工作频段的混合连续类射频功率放大器

权利要求书

1.一种适用2G到5G工作频段的混合连续类射频功率放大器，其特征在于包括输入电路、输入匹配电路、稳定网络、滤波偏置电路、晶体管、晶体管栅极连接电路、晶体管漏极连接电路、具有对寄生参数补偿功能的谐波控制网络、基波匹配电路和输出电路，所述的输入电路用于接入外部输入信号，所述的输入匹配电路用于将所述的混合连续类射频功率放大器源阻抗匹配至50Ω，所述稳定网络用于保证所述的晶体管在工作频段内能稳定工作，所述的滤波偏置电路用于接入所述的晶体管的漏极偏置电压和栅极偏置电压，所述的稳定网络采用RC并联结构来实现，所述的基波匹配电路采用阶梯渐变式电路结构来实现，所述的输入匹配电路具有输入端和输出端，所述的稳定网络电路具有输入端和输出端，所述的滤波偏置电路具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，所述的输入电路、所述的晶体管栅极连接电路、所述的晶体管漏极连接电路、所述的谐波控制网络、所述的基波匹配电路和所述的输出电路分别具有输入端和输出端，所述的输入电路的输入端为所述的混合连续类射频功率放大器的输入端，所述的输入电路的输出端和所述的输入匹配电路的输入端连接，所述的输入匹配电路的输出端和所述的稳定网络的输入端连接，所述的稳定网络的输出端分别与所述的滤波偏置电路的第一输出端和所述的晶体管栅极连接电路的输入端连接，所述的晶体管栅极连接电路的输出端和所述的晶体管的栅极连接，所述的滤波偏置电路的第一输入端为所述的混合连续类射频功率放大器的第一偏置端，用于接入所述的晶体管的栅极偏置电压。所述的滤波偏置电路的第二输入端为所述的混合连续类射频功率放大器的第二偏置端，用于接入所述的晶体管的漏极偏置电压，所述的晶体管的漏极与所述的晶体管漏极连接电路的输入端连接，所述的晶体管漏极连接电路的输出端和所述的谐波控制网络的输入端连接，所述的谐波控制网络的输出端、所述的滤波偏置电路的第二输出端和所述的基波匹配电路的输入端连接，所述的基波匹配电路的输出端和所述的输出电路的输入端连接，所述的输出电路的输出端为所述的混合连续类射频功率放大器的输出端；所述的谐波控制网络包括第一微带线、第二微带线和第三微带线，所述的第一微带线的一端为所述的谐波控制网络的输入端，所述的第一微带线的另一端、所述的第二微带线的一端和所述的第三微带线的一端连接，所述的第二微带线的另一端开路，所述的第三微带线的另一端为所述的谐波控制网络的输出端，所述的第二微带线为四分之一波长短截线。

2.根据权利要求1所述的一种适用2G到5G工作频段的混合连续类射频功率放大器，其特征在于所述的第一微带线的长度为2.2mm,宽度为3.3mm，厚度为0.813mm，所述的第二微带线的长度为6mm，宽度为2mm，厚度为0.813mm，所述的第三微带线的长度为0.9mm，宽度为3.5mm，厚度为0.813mm。

3.根据权利要求1所述的一种适用2G到5G工作频段的混合连续类射频功率放大器，其特征在于所述的基波匹配网络包括第四微带线、第五微带线、第六微带线、第七微带线和第一电容，所述的第四微带线的一端为所述的基波匹配网络的输入端，所述的第四微带线的另一端和所述的第五微带线的一端连接，所述的第五微带线的另一端和所述的第六微带线的一端连接，所述的第六微带线的另一端和所述的第七微带线的一端连接，所述的第七微带线的另一端和所述的第一电容的一端连接，所述的第一电容的另一端为所述的基波匹配网络的输出端。

4.根据权利要求1所述的一种适用2G到5G工作频段的混合连续类射频功率放大器，其特征在于所述的第四微带线的长度为20.5mm，宽度为3.9mm，厚度为0.813mm，所述的第五微带线的长度为17mm，宽度为2.4mm，厚度为0.813mm，所述的第六微带线的长度为7mm，宽度为1.8mm，厚度为0.813mm，所述的第七微带线的长度为11mm，宽度为1.3mm，厚度为0.813mm。