[发明专利]半导体封装在审

专利信息
申请号: 201911341610.7 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN111696965A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 蔡宗哲;蔡宪洲 申请(专利权)人: 蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/58;H01L25/07
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 晏波
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

一种半导体封装,包含:一基板,在该基板的一顶表面上至少设置有一半导体芯片;一接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该半导体芯片;一金属柱强化胶体墙,设在该接地环上,环绕着该半导体芯片;以及一成型模料,仅仅设置在该金属柱强化胶体墙围绕的范围内,并覆盖该半导体芯片。该金属柱强化胶体墙包含磁性或可磁化填充物,构成主动电磁兼容屏蔽。

技术领域

发明系有关于半导体技术领域,特别是有关于一种具有封装内隔室屏蔽(In-Package Compartmental Shielding)及主动电磁兼容屏蔽(active electro-magneticcompatibility shielding)的半导体封装。

背景技术

便携式电子设备,例如行动电话,通常利用多组件半导体模块在单个模制封装中提供高度的电路整合。多组件半导体模块可包括例如半导体晶粒和安装在电路板上的多个电子组件。安装有半导体晶粒和电子组件的电路板系在模封制程中完成封装,形成包覆成型的半导体封装结构。

为了确保手机等设备在不同环境中正确操作能达到所需的性能水平,通常还要对包覆成型的半导体封装进行屏蔽,使其免受电磁干扰(EMI)的影响。上述电磁干扰是由于电磁(例如射频(RF))辐射和电磁传导而在电气系统中产生的不利于元件效能的影响。

随着芯片模块,例如,系统级封装(SiP)的体积越来越小,组件之间的距离也跟着缩小,也使得模块内的电路对EMI更敏感,因此有必要在模块内组件之间设置电磁干扰屏蔽。然而,现有技术要在模块内形成屏蔽,制程上十分复杂且成本高昂。因此,目前该技术领域面临的挑战是在不增加封装尺寸及制程复杂度的情况下为包覆成型的半导体封装提供有效的EMI屏蔽,并且不会显著增加封装成本。

发明内容

本发明的主要目的在提供一种具有封装内隔室屏蔽及主动电磁兼容屏蔽的半导体封装,以解决上述先前技艺的不足与缺点。

本发明一方面提供一种半导体封装,包含:一基板,在该基板的一顶表面上至少设置有一高频芯片,以及易受高频讯号干扰的一电路元件;一第一接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该高频芯片;一第一金属柱强化胶体墙,设在该第一接地环上,环绕着该高频芯片;一第二接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该电路元件;一第二金属柱强化胶体墙,设在该第二接地环上,环绕着该电路元件;一成型模料,至少覆盖该高频芯片及该电路元件;以及一导电层,设于该成型模料上,并且与该第一金属柱强化胶体墙及/或该第二金属柱强化胶体墙接触,其中该金属柱强化胶体墙、第二金属柱强化胶体墙和导电层中的至少一个包括磁性或可磁化填充物,以构成主动电磁兼容屏蔽。根据本发明一实施例,其中,该磁性或可磁化填充物包含黏结的钕铁硼(NdFeB)磁体。

本发明另一方面提供一种半导体封装,包含:一基板,在该基板的一顶表面上至少设置有一半导体芯片;一接地环,在该基板的该顶表面上,环绕着该半导体芯片;一金属柱强化胶体墙,设在该接地环上,环绕着该半导体芯片,其中该金属柱强化胶体墙包含磁性或可磁化填充物,构成主动电磁兼容屏蔽;以及一成型模料,仅仅设置在该金属柱强化胶体墙围绕的范围内,并覆盖该半导体芯片。根据本发明一实施例,其中,该磁性或可磁化填充物包含黏结的钕铁硼(NdFeB)磁体。

为让本发明之上述目的、特征及优点能更明显易懂,下文特举较佳实施方式,并配合所附图式,作详细说明如下。然而如下之较佳实施方式与图式仅供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

所附图式系提供用以方便对本发明更进一步的了解,其构成本说明书的一部分。所附图式与说明书内容一同阐述之本发明实施例,有助于解释本发明的原理原则。在图式中:

图1至图5为依据本发明一实施例所绘示的一种具有封装内隔室屏蔽的半导体封装的制作方法示意图;

图6及图7例示设置在半导体芯片之间的重叠处的金属柱的部份上视示意图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美,未经蔡宪聪;蔡宪洲;蔡宪伟;蔡黄燕美许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911341610.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top