[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

基板；

半导体堆叠层，布置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及介于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；

光阻挡层，以在所述基板的上表面限定发光面的方式覆盖所述基板的侧面以及上表面，

其中，所述基板的侧面包括与所述第一导电型半导体层的上表面垂直的侧面和与所述垂直的侧面倾斜的侧面，

其中，所述发光二极管还包括：

欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；以及

第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，布置于所述欧姆反射层的下部，且分别与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述发光面具有比所述基板的上表面窄的面积。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述光阻挡层沿所述基板的上表面的边缘而覆盖所述基板的上表面。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，

所述发光面具有圆形、椭圆形或者多边形形状。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述发光面被所述光阻挡层划分为多个区域。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，

所述多个区域具有彼此相同的形状。

7.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，

所述多个区域中的一个区域包围另一区域。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述光阻挡层包括金属反射层或分布布拉格反射器。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

位于所述基板的上表面的所述光阻挡层的厚度比位于所述基板的侧面的光阻挡层的厚度更厚。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，包括：

布置于所述第一导电型半导体层之上的台面，

其中，所述台面包括所述活性层和所述第二导电型半导体层，

其中，所述台面与所述基板的侧面隔开，

其中，所述光阻挡层与所述台面横向隔开而布置。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，还包括：

下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；

第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；

第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及

上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，

其中，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘布置于所述上部绝缘层上，并通过所述上部绝缘层的第一开口部和第二开口部分别连接于所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，

所述台面可以包括：通孔，通过贯穿第二导电型半导体层和活性层而使第一导电型半导体层暴露，

其中，所述第一焊盘金属层可电连接于通过所述通孔暴露的第一导电型半导体层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其中，

所述台面在侧面还可以包括凹陷部，所述凹陷部使所述第一导电型半导体层暴露，

其中，所述第一焊盘金属层电连接于通过所述凹陷部暴露的第一导电型半导体层。