[发明专利]一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片，其特征在于：包括依次设置的衬底、n型掺杂DBR、中间介质层、量子阱有源层、中间介质层、p型掺杂DBR和帽层；所述衬底的上表面设置有抗反射涂层和n面金属接触层电极，所述抗反射涂层和n面金属接触层电极之间形成沟槽结构一；所述帽层远离所述p型掺杂DBR的端面上设有SiO₂钝化介质层和顶部接触层；所述SiO₂钝化介质层和顶部接触层的下表面设有p面金属接触层电极；所述p型掺杂DBR和帽层、SiO₂钝化介质层、顶部接触涂层、p面金属接触层电极上设有竖直的沟槽结构二。

2.根据权利要求1所述的一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片，其特征在于：所述的抗反射涂层是氮化硅，厚度是10nm～490nm。

3.根据权利要求1所述的一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片，其特征在于：所述的沟槽结构一的宽度为3μm～6μm。

4.根据权利要求1所述的一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片，其特征在于：所述的n型掺杂DBR是4对～25对的Al_0.8Ga_0.2As/GaAs。

5.根据权利要求1所述的一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片，其特征在于：所述的中间介质层是Al_0.47Ga_0.53As，厚度是5～25nm。

6.根据权利要求1所述的一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片，其特征在于：所述的量子阱有源区是2组In_0.15Ga_0.85As阱层和GaAs_0.9P_0.1垒层，厚度是8nm。

7.根据权利要求1所述的一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片，其特征在于：所述的p型掺杂DBR是4对～32对的Al_0.8Ga_0.2As/GaAs。

8.根据权利要求1所述的一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片，其特征在于：所述的顶部接触涂层是Au/Zn/Au，厚度是5nm～15nm/10nm～30nm/100nm～300nm。

9.一种如权利要求1-8任一项所述的电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片的制备方法，其特征在于：经过外延生长获得含衬底、n型掺杂DBR、中间介质层、量子阱有源层、中间介质层、p型掺杂DBR、帽层的外延片，然后在p型掺杂层上刻蚀出沟槽结构，再生长一层SiO₂膜钝化介质层，再在顶部制作出顶部窗口，再在顶部窗口区域淀积一层金属接触层，然后在p面上淀积一层金属接触层电极；接着对n面衬底进行减薄和抛光；再在衬底上光刻出抗反射涂层区域和一定宽度的沟槽图形，再淀积一层金属接触层电极，将抗反射涂层区域和一定宽度沟槽上的Au剥离掉形成n面金属接触层电极；最后在n面上淀积一层抗反射涂层氮化硅，经过光刻和刻蚀，仅保留抗反射涂层区域上的氮化硅，这样就制作出了抗反射涂层。