[发明专利]电子设备及制造电子设备的方法

权利要求书

1.一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法，所述方法包括：

形成第一有源层；

在所述第一有源层之上形成第一电极材料；

对所述第一电极材料和所述第一有源层执行热处理过程；以及

在被热处理的第一电极材料之上形成第二电极材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电极材料与所述第一电极材料直接接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极材料与所述第一有源层直接接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热处理过程是第一热处理过程，所述方法还包括：

对所述第二电极材料执行第二热处理过程；以及

在被热处理的第二电极材料之上形成第三电极材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三电极材料与所述第二电极材料直接接触。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

刻蚀所述第二电极材料的表面。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述第二电极材料的刻蚀表面之上形成第三电极材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，当形成所述第一电极材料时，在所述第一有源层中产生一个或更多个空隙，并且通过所述热处理过程而减少所述空隙的数量或减小所述空隙中的每个的尺寸或实现这两者。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一有源层被配置为开关层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一有源层被配置为可变电阻层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一有源层被配置为开关层或可变电阻层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热处理过程是第一热处理过程，所述方法还包括：

在所述第二电极材料之上形成第二有源层；

在所述第二有源层之上形成第三电极材料；

对所述第三电极材料执行第二热处理过程；以及

在被热处理的第三电极材料之上形成第四电极材料。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

对所述第四电极材料执行第三热处理过程；以及

在被热处理的第四电极材料之上形成第五电极材料。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

刻蚀所述第四电极材料的表面。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：

在所述第四电极材料的刻蚀表面之上形成第五电极材料。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一有源层被配置为开关层，并且所述第二有源层被配置为可变电阻层。

17.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一有源层被配置为可变电阻层，并且所述第二有源层被配置为开关层。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极材料的厚度在从至的范围内。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，在减少所述第一有源层中的空隙的数量或减小所述空隙中的每个的尺寸或者实现这两者的温度下执行所述热处理。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，在100℃至350℃的范围内的温度下执行所述热处理过程。