[发明专利]一种固态硬盘的使用方法在审

专利信息
申请号: 201911343367.2 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN111177033A 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 马晓丽;杜利强;杜明书 申请(专利权)人: 河南文正电子数据处理有限公司
主分类号: G06F12/1009 分类号: G06F12/1009;G06F12/02
代理公司: 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 代理人: 周闯
地址: 453000 河南省新乡*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 固态 硬盘 使用方法
【说明书】:

本公开提供了一种固态硬盘的使用方法,包括:检测到开机后,固态硬盘控制器将闪存阵列的第一存储区域存储的FTL表数据的部分、第二存储区域存储的常用FTL表数据、第三存储区域存储的FTL表索引数据,分别加载至DRAM的第一内存区域、第二内存区域、第三内存区域;当接收到访问固态硬盘数据的请求时,先根据请求对应的逻辑地址,查询第一内存区域和所述第二内存区域的FTL表数据,如果没有命中,则查询第三内存区域的FTL表数据,根据第三内存区域的查询结果,将可能命中固态硬盘的第一存储区域存储的部分FTL表数据加载至第一内存区域,并重新查询第一内存区域的FTL表数据;根据查询结果,获取请求对应的物理地址,完成数据访问。

技术领域

发明涉及计算机技术领域,具体而言,涉及一种固态硬盘的使用方法。

背景技术

固态硬盘(Solid State Disk, SSD)因其高速读写性能、低故障率,正在逐步取代机械硬盘,成为主流存储设备。固态硬盘内部通过Nand flash存储数据,随着技术的发展,Nand flash颗粒从单层单元(Single-Level Cell, SLC)、多层单元MLC(Multi-LevelCell)、三层单元(Trinary-Level Cell, TLC)演变到3D Nand,存储密度越来越高,因此,大容量固态硬盘越来越多地走进企业级和民用级市场。

和传统磁盘相比,Nand Flash存储延迟低、功耗低、更高的存储密度、抗震型号更好和噪声低。但是,由于Nand Flash的特性影响(读写擦的单位不一致,每个块有P/E次数限制),Nand Flash不能直接通过简单的接口转换就拿来使用。所以我们需要在Nand Flash上增加一个管理软件FTL(Flash Translation Layer, 闪存转换层)进行管理,对外就是一个黑盒子,上层应用可以通过逻辑地址来对这个黑盒子进行访问。

如图1所示,上层应用通过逻辑地址来访问存储设备,FTL把不同的逻辑地址映射到Nand Flash中的不同位置,FTL简单来说,主要就是映射管理。

一方面,随着固态硬盘的容量越来越高,FTL文件也越来越大,管理复杂度越来越高。另一方面,为了节约成本,在固态硬盘中应当尽可能避免使用高容量的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM),难以直接完整地加载FTL数据。因此,如何利用较少的DRAM完成对FTL的访问,是亟待解决的问题。

发明内容

为此,本发明提供一种固态硬盘的使用方法,以力图解决或者至少缓解上面存在的至少一个问题。

根据本发明实施例的一个方面,提供了一种固态硬盘的使用方法,包括:

检测到开机后,固态硬盘控制器将闪存阵列的第一存储区域存储的FTL表数据的部分、第二存储区域存储的常用FTL表数据、第三存储区域存储的FTL表索引数据,分别加载至DRAM的第一内存区域、第二内存区域、第三内存区域;

当接收到访问固态硬盘数据的请求时,先根据所述请求对应的逻辑地址,查询所述第一内存区域和所述第二内存区域的FTL表数据,如果没有命中,则查询所述第三内存区域的FTL表数据,根据所述第三内存区域的查询结果,将可能命中所述固态硬盘的第一存储区域存储的部分FTL表数据加载至所述第一内存区域,并重新查询所述第一内存区域的FTL表数据;

根据查询结果,获取所述请求对应的物理地址,完成数据访问。

可选地,所述第二存储区域为固定大小。

可选地,该方法还包括:每当所述第二内存区域的FTL表数据被命中时,将命中的FTL表项的命中次数加1;当所述第二内存区域被写满,且有新的FTL表数据请求写入时,删除命中次数记录最低的FTL表项。

可选地,该方法还包括:将所述第二内存区域的FTL表数据更新至所述第二存储区域。

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