[发明专利]一种存储系统在审
申请号: | 201911343375.7 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111176562A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 杜明书;马晓丽;杜薇 | 申请(专利权)人: | 河南文正电子数据处理有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 | 代理人: | 周闯 |
地址: | 453000 河南省新乡*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储系统 | ||
本公开提供了一种存储系统,包括:固态硬盘,由控制器与闪存阵列构成,所述控制器不包含缓存;以及,所述固态硬盘的第一存储区域存储FTL表数据、第二存储区域存储常用FTL表数据、第三存储区域存储FTL表索引数据;主机处理器,所述主机处理器加载固态硬盘驱动后,通过总线结构访问固态硬盘,以及,通过总线结构访问主机内存,在主机内存中初始化第一内存区域、第二内存区域、第三内存区域,所述第一内存区域存储临时FTL表数据、所述第二内存区域存储常用FTL表数据,所述第三内存区域存储FTL表索引数据;主机内存,用于根据主机处理器的指令,加载固态硬盘数据。用以提升FTL映射表的访问效率。
技术领域
本发明涉及计算机技术领域,具体而言,涉及一种存储系统。
背景技术
固态硬盘(Solid State Disk, SSD)因其高速读写性能、低故障率,正在逐步取代机械硬盘,成为主流存储设备。固态硬盘内部通过Nand flash存储数据,随着技术的发展,Nand flash颗粒从单层单元(Single-Level Cell, SLC)、多层单元MLC(Multi-LevelCell)、三层单元(Trinary-Level Cell, TLC)演变到3D Nand,存储密度越来越高,因此,大容量固态硬盘越来越多地走进企业级和民用级市场。
和传统磁盘相比,Nand Flash存储延迟低、功耗低、更高的存储密度、抗震型号更好和噪声低。但是,由于Nand Flash的特性影响(读写擦的单位不一致,每个块有P/E次数限制),Nand Flash不能直接通过简单的接口转换就拿来使用。所以我们需要在Nand Flash上增加一个管理软件FTL(Flash Translation Layer, 闪存转换层)进行管理,对外就是一个黑盒子,上层应用可以通过逻辑地址来对这个黑盒子进行访问。
如图1所示,上层应用通过逻辑地址来访问存储设备,FTL把不同的逻辑地址映射到Nand Flash中的不同位置,FTL简单来说,主要就是映射管理。
随着固态硬盘的容量越来越高,FTL文件也越来越大,管理复杂度越来越高。另一方面,为了节约成本,现有技术中使用计算机主机内存替代SSD内存。因此,如何使用主机内存对大容量固态硬盘的FTL进行高效管理,是亟待解决的问题。
发明内容
为此,本发明提供一种存储系统,以力图解决或者至少缓解上面存在的至少一个问题。
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种存储系统,包括:
固态硬盘,由控制器与闪存阵列构成,所述控制器不包含缓存;以及,所述固态硬盘的第一存储区域存储FTL表数据、第二存储区域存储常用FTL表数据、第三存储区域存储FTL表索引数据;
主机处理器,所述主机处理器加载固态硬盘驱动后,通过总线结构访问固态硬盘,以及,通过总线结构访问主机内存,在主机内存中初始化第一内存区域、第二内存区域、第三内存区域,所述第一内存区域存储临时FTL表数据、所述第二内存区域存储常用FTL表数据,所述第三内存区域存储FTL表索引数据;
主机内存,用于根据主机处理器的指令,加载固态硬盘数据。
可选地,所述主机处理器统计所述FTL表和/或FTL表索引数据的访问频度,将访问频度满足预设条件的FTL表项和/或FTL表索引数据写入所述第二存储区域。
可选地,所述主机处理器监控应用程序使用情况,将访问频度满足预设条件的应用相关的FTL表项和/或FTL表索引数据写入所述第二存储区域。
可选地,所述主机处理器在检测到系统安装常用应用后,将常用应用的相关的FTL表项和/或FTL表索引数据写入第二存储区域。
可选地,所述第二存储区域为固定大小。
可选地,所述第二存储区域的大小小于所述第一内存区域。
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