[发明专利]一种互补对称型自激推挽式变换器

权利要求书

1.一种互补对称型自激推挽式变换器，其特征在于，包括：

直流电源V1，其负极接地；

电容C1,其一端接地，电容C1的另一端与直流电源V1的正极相连；

电阻R1，其一端与直流电源V1的正极相连；

电阻R2，其一端与直流电源V1的正极相连；

NPN晶体管Q1，其C集电极与电阻R1的另一端相连，NPN晶体管Q1的E发射级接地；

NPN晶体管Q2，其E发射级接地，NPN晶体管Q2的C集电极与电阻R2的另一端相连；

电阻R3，其一端接NPN晶体管Q1的C集电极，电阻R3的另一端接NPN晶体管Q1的B基极；

电阻R4，其一端分别接NPN晶体管Q2的C集电极、电阻R2的另一端，电阻R4的另一端接NPN晶体管Q2的B基极；

电容C2，其一端分别接NPN晶体管Q1的B基极、电阻R3的另一端，电容C2的另一端分别接NPN晶体管Q2的C集电极、电阻R2的另一端、电阻R4的一端；

电容C3，其一端分别接NPN晶体管Q2的B基极、电阻R4的另一端；电容C3的另一端分别接NPN晶体管Q1的C集电极、电阻R1的另一端、电阻R3的一端；

NPN晶体管Q3，其B基极分别接NPN晶体管Q1的C集电极、电阻R3的一端、电阻R1的另一端、电容C3的另一端，NPN晶体管Q3的E发射极接地；

NPN晶体管Q4，其B基极分别接NPN晶体管Q2的C集电极、电阻R4的一端、电容C2的另一端、电阻R2的另一端，NPN晶体管Q4的E发射极接地；

高频变压器T，其Np正端抽头与NPN晶体管Q3的C集电极相连，高频变压器T的Nq负端抽头与NPN晶体管Q4的C集电极相连，高频变压器T设有至少一个交流电压输出端；

滤波电感器Lf，其一端分别接直流电源V1的正极、电阻R1的一端、电阻R2的一端、电容C1的另一端，滤波电感器Lf的另一端接高频变压器T的输入端的中心抽头。

2.如权利要求1所述的一种互补对称型自激推挽式变换器，其特征在于，所述C2为自激振荡电容。

3.如权利要求1所述的一种互补对称型自激推挽式变换器，其特征在于，所述C3为自激振荡电容。

4.一种互补对称型自激推挽式变换器，其特征在于，包括:

直流电源V1，其负极接地；

电容C1,其一端接地，电容C1的另一端与直流电源V1的正极相连；

电阻R1，其一端与直流电源V1的正极相连；

电阻R2，其一端与直流电源V1的正极相连；

NPN晶体管Q1，其C集电极与电阻R1的另一端相连，NPN晶体管Q1的E发射级接地；

NPN晶体管Q2，其E发射级接地，NPN晶体管Q2的C集电极与电阻R2的另一端相连；

电阻R3，其一端接NPN晶体管Q1的C集电极，电阻R3的另一端接NPN晶体管Q1的B基极；

电阻R4，其一端分别接NPN晶体管Q2的C集电极、电阻R2的另一端，电阻R4的另一端接NPN晶体管Q2的B基极；

电容C2，其一端分别接NPN晶体管Q1的B基极、电阻R3的另一端，电容C2的另一端分别接NPN晶体管Q2的C集电极、电阻R2的另一端、电阻R4的一端；

电容C3，其一端分别接NPN晶体管Q2的B基极、电阻R4的另一端；电容C3的另一端分别接NPN晶体管Q1的C集电极、电阻R1的另一端、电阻R3的一端；

N-MOSFET场效应管Q5，其G栅极分别接NPN晶体管Q1的C集电极、电阻R3的一端、电阻R1的另一端、电容C3的另一端，N-MOSFET场效应管Q5的S源极接地；

N-MOSFET场效应管Q6，其G栅极分别接NPN晶体管Q2的C集电极、电阻R4的一端、电容C2的另一端、电阻R2的另一端，N-MOSFET场效应管Q6的S源极接地；

高频变压器T，其Np正端抽头与N-MOSFET场效应管Q5的D漏极相连，高频变压器T的Nq负端抽头与N-MOSFET场效应管Q6的D漏极相连，高频变压器T设有至少一个交流电压输出端；

滤波电感器Lf，其一端分别接直流电源V1的正极、电阻R1的一端、电阻R2的一端、电容C1的另一端，滤波电感器Lf的另一端接高频变压器T的T输入端的中心抽头。