[发明专利]一种差分铌酸锂调制器

权利要求书

1.一种差分铌酸锂调制器，其特征在于，从下往上依次包括基底层(1)、衬底层(2)、集成波导层(3)和覆盖层(4)，所述集成波导层(3)包括铌酸锂波导层(301)和两个间隔分布的高折射率层(302)，所述高折射率层(302)位于所述铌酸锂波导层(301)和覆盖层(4)之间；同时，

所述调制器还包括第一电极组(5)、两个相对设置的第二电极组(6)，所述第一电极组(5)位于所述衬底层(2)内，两个所述第二电极组(6)位于所述集成波导层(3)上方；

所述第一电极组(5)从下往上依次包括直接接触的第一金属电极(501)和第一导电层(502)，且两个所述高折射率层(302)的投影均位于所述第一导电层(502)上；

所述第二电极组(6)从下往上依次包括直接接触的第二导电层(601)和第二金属电极(602)，且所述第二导电层(601)对应分布于一个所述高折射率层(302)的正上方。

2.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述衬底层(2)为低折射率材料，且所述衬底层(2)的厚度不小于2um。

3.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述第一导电层(502)和第二导电层(601)的厚度不超过50nm。

4.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述铌酸锂波导层(301)的厚度不超过1um。

5.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述高折射率层(302)的折射率不小于1.8。

6.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述第一金属电极(501)和第二金属电极(602)的高度不小于500nm。

7.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述第一金属电极(501)和第二金属电极(602)的宽度不小于10um。

8.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述覆盖层(4)的折射率不大于1.8。

9.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述第一导电层(502)直接贴合于所述铌酸锂波导层(301)上，所述第二导电层(601)直接贴合于所述高折射率层(302)上。

10.如权利要求1所述的差分铌酸锂调制器，其特征在于：所述第一导电层(502)和铌酸锂波导层(301)之间、以及所述第二导电层(601)和高折射率层(302)之间均设有隔离层，所述隔离层为低折射率材料。