[发明专利]电阻式存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器装置的操作方法，所述方法包括下列步骤：

对所述电阻式存储器装置的至少一存储单元执行具有第一增强偏压的设定操作，其中所述第一增强偏压大于正常执行所述设定操作时使用的偏压；

在执行具有所述第一增强偏压的设定操作后，对所述存储单元执行热处理；以及

在对所述存储单元执行所述热处理后，再对所述存储单元执行具有第二增强偏压的设定操作，所述第二增强偏压大于等于所述第一增强偏压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在对所述存储单元执行具有所述第一增强偏压的设定操作的步骤之前，所述方法还包括：

计算对所述存储单元执行重置操作时所产生的读取电流的初始变异；

在所述电阻式存储器装置的每一操作期间，判断对所述存储单元执行所述重置操作时所产生的读取电流是否大于第一预设电流；

若所述读取电流不大于所述第一预设电流，进行下一个操作，并重新判断对所述存储单元执行所述重置操作时所产生的所述读取电流是否大于所述第一预设电流；

若所述读取电流大于所述第一预设电流，提高所述重置操作所使用的偏压，并判断所述读取电流是否大于第二预设电流，其中所述第二预设电流大于所述第一预设电流；

若所述读取电流不大于所述第二预设电流，进行下一个操作，并重新判断对所述存储单元执行所述重置操作时所产生的所述读取电流是否大于所述第一预设电流；以及

若所述读取电流大于所述第二预设电流，计算当前对所述存储单元执行所述重置操作时所产生的读取电流的当前变异与所述初始变异的比值，并根据所述比值的大小，调整对所述存储单元执行所述设定操作所使用的偏压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中根据所述比值的大小，调整对所述存储单元执行所述设定操作所使用的偏压的步骤包括：

若所述比值大于第一预设比值，将所述设定操作所使用的所述偏压的大小减少第一电压值；以及

若所述比值不大于所述第一预设比值且大于第二预设比值，将所述设定操作所使用的所述偏压的大小增加第二电压值，其中所述第二预设比值小于所述第一预设比值，且所述第二电压值小于所述第一电压值。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

若所述比值不大于所述第二预设比值，判断当前对所述存储单元执行所述设定操作时的设定电流的变异系数是否大于预设系数；以及

若所述变异系数大于所述预设系数，以调整后的所述偏压大小作为所述第一增强偏压的大小，对所述存储单元执行所述设定操作。

5.根据权利要求1所述的方法，其中对所述存储单元执行热处理的步骤包括：

使用比正常操作所使用偏压低的偏压以及比所述正常操作所使用的脉冲长度长的脉冲，对所述存储单元执行所述设定操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其中对所述存储单元执行热处理的步骤包括：

使用比正常操作的脉冲频率高的脉冲，对所述存储单元执行所述设定操作。

7.一种电阻式存储器装置，包括：

电阻式存储单元阵列，包括多个存储单元；以及

处理器，耦接至所述电阻式存储单元阵列中的所述存储单元，经配置以：

对至少一所述存储单元执行具有第一增强偏压的设定操作，其中所述第一增强偏压大于正常执行所述设定操作时使用的偏压；

在执行具有所述第一增强偏压的设定操作后，对所述存储单元执行热处理；以及

在对所述存储单元执行所述热处理后，再对所述存储单元执行具有第二增强偏压的设定操作，其中所述第二增强偏压大于等于所述第一增强偏压。