[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管有效
申请号: | 201911344477.0 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN111120962B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 吴世熙;金贤儿;金钟奎;蔡钟炫 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | F21S41/141 | 分类号: | F21S41/141;H01L27/15;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 发光 单元 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括:
基板;
多个发光单元,布置于所述基板上,并且分别包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层;
欧姆层,欧姆接触于各个发光单元的第二导电型半导体层上;
下部绝缘层,覆盖所述发光单元,并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆层的欧姆接触区域暴露的开口区域;
第一连接区域,布置于所述下部绝缘层上,与至少一个发光单元的第一导电型半导体层接触;
第二连接区域,与所述第一连接区域电连接,从而形成发光单元的串联矩阵,并且接触于与所述至少一个发光元件相邻的发光单元的欧姆层;
第一垫金属层,与布置于所述串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接;
第二垫金属层,与布置于所述串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆层电连接;
上部绝缘层,覆盖所述第一连接区域、第二连接区域、第一垫金属层及第二垫金属层,并且具有使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面分别暴露的开口部;
浮置反射区域,布置于所述下部绝缘层上,并被所述上部绝缘层覆盖;以及
第一凸起垫和第二凸起垫,分别连接于通过所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面,
在第二导电型半导体层,下部绝缘层的开口区域与上部绝缘层的开口区域沿横方向隔开布置,
所述浮置反射区域形成在形貌的变化明显的区域上,并且利用与第一垫金属层和第二垫金属层相同的材料形成。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述发光单元包括具有布置于所述基板的一侧边缘部位附近的边缘部位的发光单元,所述上部绝缘层的边缘部位中的一部分位于所述基板的一侧边缘部位与所述发光单元的边缘部位之间,所述下部绝缘层的边缘部位中的一部分位于所述发光单元上。
3.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述浮置反射区域与所述第一垫金属层、第二垫金属层及第一连接部区域和第二连接区域之间绝缘。
4.如权利要求3所述的发光二极管,其中,
所述浮置反射区域、所述第一连接部区域和第二连接区域、第一垫金属层及第二垫金属层利用同一种材料形成。
5.如权利要求3所述的发光二极管,其中,
浮置反射区域覆盖彼此相邻的两个发光单元之间的区域。
6.如权利要求5所述的发光二极管,其中,
浮置反射区域包括如下的浮置反射区域:沿所述基板的边缘部位布置而覆盖至少一个发光单元的第一导电型半导体层。
7.如权利要求6所述的发光二极管,其中,
沿所述基板的边缘部位布置的浮置反射区域包围任意一个发光单元的三个面。
8.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述欧姆层包括:
透明的欧姆接触层;
透明绝缘层,覆盖所述欧姆接触层,并具有使所述欧姆接触层暴露的开口部;以及
金属反射层,位于所述透明绝缘层上,并通过所述开口部连接于所述欧姆接触层。
9.如权利要求8所述的发光二极管,其中,
所述透明绝缘层包括凹陷的区域,
所述金属反射层位于所述凹陷的区域。
10.如权利要求9所述的发光二极管,其中,
所述金属反射层限定于所述凹陷的区域的上部区域内。
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