[发明专利]一种基于GaAs工艺的输出缓冲电路

权利要求书

1.一种基于GaAs工艺的输出缓冲电路，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第一PHEMT管、第二PHEMT管、第三PHEMT管、第四PHEMT管、第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第三肖特基二极管、第四肖特基二极管以及第五肖特基二极管；

第一PHEMT管的栅极连接输入信号IN，其漏极连接第一肖特基二极管的负极，第一肖特基二极管的正极连接第二肖特基二极管的负极，第二肖特基二极管的正极连接第三肖特基二极管的负极，第三肖特基二极管的正极连接第四肖特基二极管的负极，第四肖特基二极管的正极经第一电阻连接正电电源V_DD，第四肖特基二极管的正极还分别连接第二PHEMT管的栅极和第三PHEMT管的栅极，第一PHEMT管的源极接负电电源V_SS；

第二PHEMT管的漏极连接第四PHEMT管的栅极，并通过第二电阻连接正电电源V_DD，第二PHEMT管的源极接地GND；

第三PHEMT管的漏极分别连接第四PHEMT管的源极和输出信号OUT，第三PHEMT管的源极接地GND；

第四PHEMT管的漏极连接第五肖特基二极管的负极，第五肖特基二极管的正极连接正电电源V_DD；

当输入信号IN为-5V时，第一PHEMT管的栅源电压低于第一PHEMT管的阈值电压，第一PHEMT管关断，第一电阻是限流电阻，正电电源V_DD通过第一电阻进行降压，此时第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第三肖特基二极管及第四肖特基二极管不导通，第二PHEMT管的栅源电压大于第二PHEMT管的阈值电压，第三PHEMT管的栅源电压大于第三PHEMT管的阈值电压，使得第二PHEMT管与第三PHEMT管导通，第二PHEMT管的导通将第二PHEMT管漏极的电压下拉至0V，此时第四PHEMT管的栅源电压低于第四PHEMT管的阈值电压，即第四PHEMT管处于关断状态，此时上拉路径关断，第三PHEMT管的导通将输出信号OUT下拉至0V，即此时输出为低电平；

当输入信号IN为-4.2V时，第一PHEMT管的栅源电压高于第一PHEMT管的阈值电压，第一PHEMT管导通，第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第三肖特基二极管及第四肖特基二极管导通，每个二极管的导通电压为0.8V，此时第二PHEMT管的栅源电压低于第二PHEMT管的阈值电压，第三PHEMT管的栅源电压低于第三PHEMT管的阈值电压，第二PHEMT管与第三PHEMT管关断，正电电源V_DD通过第二电阻，使得第四PHEMT管的栅源电压大于第四PHEMT管的阈值电压，第四PHEMT管导通，第四PHEMT管的漏极电压为正电电源V_DD减去第五肖特基二极管的导通压降，即5-0.8V＝4.2V，下拉路径第三PHEMT管被关断，输出信号OUT被上拉至第四PHEMT管的漏极电压4.2V，即此时输出为高电平；

增大第三PHEMT管与第四PHEMT管的宽长比，增大第三PHEMT管与第四PHEMT管通过的电流，相应的输出等效电阻减小，寄生电容增大。