[发明专利]一种异质材料结构化多层薄膜吸波器及其制造方法

权利要求书

1.一种异质材料结构化多层薄膜吸波器，其特征在于，包括硅基底，硅基底的顶部设置有1~N个多膜层单元，每个多膜层单元包括从下往上依次层叠的Ag薄膜、SiO₂薄膜和SiN_x薄膜，1~N个多膜层单元整体为金字塔阵列结构；

所述硅基底尺寸为4μm×4μm，金字塔阵列结构整体高度为1.8~2.0μm，每个多膜层单元中Ag薄膜厚度30~200nm、SiO₂薄膜厚度200~800nm，SiN_x薄膜厚度200~800nm；所述硅基底表面的Ag薄膜的厚度不小于120nm，当多膜层单元中的Ag薄膜的厚度未达到120nm时，可在硅基底表面沉积一层Ag薄膜，以保证沉积的Ag薄膜与多膜层单元中Ag薄膜厚度叠加在一起时不小于120nm。

2.根据权利要求1所述的异质材料结构化多层薄膜吸波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）多层薄膜的沉积

采用磁控溅射沉积方法实现硅基底上Ag膜层的制备，再在Ag膜层表面上采用等离子体增强化学沉积方法实现SiO₂膜层与SiN_x膜层的制备；重复上述操作，交替沉积Ag薄膜、SiO₂薄膜与SiN_x薄膜，完成多层薄膜的沉积；

2）单点金刚石直接切削成型

采用单点金刚石切削技术在异质材料多层薄膜表面直接切削，实现微金字塔结构阵列的结构化多层薄膜吸波器的成型；

异质材料多层薄膜样品固定于工作台，单点金刚石尖刀装配于飞切盘上，通过调整单点金刚石飞切的切削深度、进给速度和飞刀盘的转速，可以实现对微金字塔结构阵列尺寸的精确控制；

在完成一个方向的飞切后，将样品顺时针旋转90°，采用相同的飞切参数，完成另一个方向的飞切制备；

经过两次飞切，完成异质材料结构化多层薄膜吸波器的制备。