[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管在审
申请号: | 201911345515.4 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN111048546A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 吴世熙;金贤儿;金钟奎;蔡钟炫 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64;F21S41/141 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 发光 单元 发光二极管 | ||
本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管,包括:基板;多个发光单元;欧姆反射层,欧姆接触于第二导电型半导体层;下部绝缘层,覆盖发光单元及欧姆反射层,具有使第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部;连接部,布置于下部绝缘层,电连接发光单元而形成串联矩阵;第一垫金属层,与第一导电型半导体层电连接,与连接部为同一材料;第二垫金属层,与欧姆反射层电连接;上部绝缘层,覆盖连接部、垫金属层,具有使垫金属层的上表面暴露的开口部;凸起垫,连接于垫金属层,其中,发光单元包括相互隔开而使基板暴露的单元分离区域,连接部形成为覆盖使所述欧姆反射层暴露的开口部及单元分离区域,不覆盖靠近基板末端的单元分离区域。
本申请是申请日为2017年11月2日、申请号为201780074372.0、题为“具有多个发光单元的发光二极管”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,尤其涉及一种具有多个发光单元的发光二极管。
背景技术
通常,诸如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等III族元素的氮化物热稳定性良好且具有直接跃迁型能S带(band)结构,因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而备受瞩目。尤其,利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色发光二极管及绿色发光二极管应用于大规模自然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、汽车前照灯、高分辨率输出系统及光通信等多种应用领域。
通常,发光二极管经过封装工序而以封装形态进行使用。然而,最近对于发光二极管正在进行关于在芯片级别执行封装工序的芯片级(chip scale)封装形态的发光二极管的研究。由于这种发光二极管的尺寸小于一般的封装件,并且无需单独执行封装工序,因此能够进一步简化工艺,从而能够节约时间及成本。芯片级封装形态的发光二极管大体具有倒装芯片形状的电极结构,因此散热特性良好。
另外,将多个发光单元串联连接的发光二极管正在开发中。这样的发光二极管可以在高电压低电流条件下使一个发光二极管工作,从而能够缓解发光二极管的衰减(droop)现象。
然而,为了将多个发光单元串联连接而使用的连接部受到由发光单元形成的基板上的形貌影响容易发生断线,并且,易于发生水分从外部浸透而导致连接部受损等可靠性问题。
并且,在多个发光单元串联连接的情况下,凸起垫电连接于一个发光单元,因此可能限制凸起垫未电连接的发光单元中的通过凸起垫的散热。
进而,当在未电连接的发光单元上部布置有凸起垫时,在凸起垫与发光单元的电极之间可能发生较高的电位差,从而可能会导致绝缘击穿等原件不良。
发明内容
技术问题
本发明要解决的课题在于提供一种具有串联连接的多个发光单元并提高了可靠性的发光二极管。
本发明要解决的又一课题在于提供一种具有多个发光单元且具有芯片级封装形态的倒装芯片结构的发光二极管。
本发明要解决的又一课题在于提供一种能够防止沿由于发光单元产生的基板上的形貌而形成的连接部的损伤的发光二极管。
本发明要解决的又一课题在于提供一种可靠性高且光提取效率高的发光二极管。
本发明要解决的又一课题在于提供一种能够不对发光二极管的结构进行复杂的变更也能够有效地防止焊料等焊接材料扩散以提高可靠性的发光二极管。
本发明要解决的又一课题在于提供一种具有串联连接的多个发光单元并提高了散热性能的发光二极管。
本发明要解决的又一课题在于提供一种能够调节发光单元与凸起垫之间的电位差而防止绝缘击穿的芯片级封装形态的倒装芯片结构的发光二极管。
技术方案
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的