[发明专利]挡板单元及包括该挡板单元的基板处理设备在审
申请号: | 201911346015.2 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN112802730A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 姜正贤 | 申请(专利权)人: | PSK有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 挡板 单元 包括 处理 设备 | ||
1.一种用于处理基板的设备,前述设备包含:
具有处理空间的外壳;
支撑单元,前述支撑单元经组态以支撑前述基板于前述处理空间中;
等离子体源,前述等离子体源经组态以自处理气体产生等离子体;及
挡板单元,前述挡板单元安置于前述支撑单元上方,
其中前述挡板单元包括挡板,前述挡板在其中形成有前述处理气体及/或前述等离子体流动通过的多个第一孔,且
其中前述挡板具有形成于前述挡板的边缘区中的多个第二孔,前述多个第二孔中的每一者具有纵向方向,前述纵向方向在自上方检视时相对于前述挡板的径向方向倾斜。
2.如权利要求1所记载的设备,其中沿着前述径向方向自前述挡板的中心起绘制的虚拟直线在自上方检视时与前述多个第二孔中的至少一者重叠。
3.如权利要求1所记载的设备,其中前述多个第二孔沿着前述挡板的周向方向形成于前述边缘区中。
4.如权利要求3所记载的设备,其中前述多个第二孔设置于前述挡板的整个前述边缘区中。
5.如权利要求1所记载的设备,其中前述多个第二孔的倾斜方向为相同的。
6.如权利要求1所记载的设备,其中通过前述多个第二孔的倾斜方向及前述挡板的前述径向方向形成的倾斜角度为相同的。
7.如权利要求1所记载的设备,其中前述多个第二孔具有狭长孔形状。
8.如权利要求1至7中任一项所记载的设备,其中前述挡板单元进一步包括安置于前述挡板的顶部或底部上的盖板,且
其中前述盖板具有覆盖前述多个第二孔的形状。
9.如权利要求8所记载的设备,其中前述挡板具有环形形状。
10.如权利要求9所记载的设备,其中前述盖板经设置以在自上方检视时覆盖前述多个第二孔的内部区域及外部区域之中的前述外部区域。
11.如权利要求9所记载的设备,其中前述盖板经设置以在自上方检视时覆盖前述多个第二孔的外部区域及内部区域之中的前述内部区域。
12.如权利要求9所记载的设备,其中前述盖板具有形成于其中的一或多个弧状开口,且
其中前述开口在自上方检视时与前述多个第二孔的内部区域及外部区域之中的前述外部区域重叠。
13.如权利要求8所记载的设备,其中前述设备包含:
处理单元,前述处理单元包括前述外壳及前述支撑单元;及
包括前述等离子体源的等离子体产生单元,前述等离子体产生单元经组态以产生前述等离子体且将所产生的前述等离子体供应至前述处理空间中,且
其中前述等离子体产生单元安置于前述处理单元的顶部处,且进一步包括具有等离子体产生空间的等离子体腔室。
14.如权利要求13所记载的设备,其中前述等离子体产生单元进一步包含扩散腔室,前述扩散腔室安置于前述等离子体腔室的底部处且具有扩散空间,且
其中前述挡板单元耦接至前述扩散腔室。
15.如权利要求14所记载的设备,其中前述挡板具有形成于其中的第三孔,耦接构件插入于前述第三孔中,且
其中前述盖板具有形成于其中的耦接孔,前述耦接孔形成于对应于前述第三孔的位置处,其中前述耦接构件插入于前述耦接孔中。
16.如权利要求15所记载的设备,其中前述盖板安置于前述挡板的前述底部上。
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