[发明专利]温控装置及半导体加工设备有效
申请号: | 201911346039.8 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN110993539B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 姬丹丹;杜飞龙 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温控 装置 半导体 加工 设备 | ||
本发明提供一种温控装置及半导体加工设备,温控装置包括冷却组件、测温元件和调控组件;冷却组件的进液口与工艺槽的出液口连接,出液口与调控组件的第一入口连接,用于将工艺槽的出液口输出的部分工艺液体进行冷却,并将冷却后的工艺液体输出到调控组件的第一入口;测温元件设置在工艺槽内,用于测量工艺槽内的工艺液体的实时温度;调控组件的第二入口与工艺槽的出液口连接,出口与工艺槽的回液口连接,用于根据测温元件测得的实时温度,调节经过第一入口和第二入口回流到工艺槽的工艺液体的流量。本发明提供的温控装置及半导体加工设备能够实时并快速地控制工艺槽中工艺液体的温度,从而提高工艺槽中工艺液体温度控制的效率,提高工艺效果。
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域,具体地,涉及一种温控装置及半导体加工设备。
背景技术
在光伏或半导体的清洗工艺中,往往要求工艺过程中化学液温度保持在一定范围,以确保硅片表面的工艺效果和处理均匀性。然而,在使用槽式清洗设备处理硅片时,一些化学液与硅片表面反应,会产生大量的热量,从而影响工艺槽中化学液的温度及工艺效果。因此,槽式清洗设备通常会在工艺槽或者供液管路中设置温度控制系统来保证工艺槽中化学液的温度。另外,一些清洗工艺要求在高温或低温的环境中进行,而环境温度也会影响化学液的温度及工艺效果,因此,也需要设置控温系统来保证化学液的温度。
在现有的槽式清洗设备中,对于温度控制要求较低或工艺槽较小的情况,通常在工艺槽内侧周边布置盘管,当温度传感器反馈化学液温度过高时,可以向盘管中通入循环冷却水,通过化学液与盘管中的冷却水热交换的方式,达到化学液温度降低的效果。同时,可以在工艺槽中布置加热器,当温度传感器反馈化学液温度偏低时,加热器工作,使化学液的温度升高。
但是,通过循环冷却水经盘管以热交换降低化学液温度的方式,化学液的降温速度慢,耗时长,不适用于化学液与硅片反应放热量大或药液量大的情况。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种温控装置及半导体加工设备,能够实时并快速地控制工艺槽中工艺液体的温度,从而提高工艺槽中工艺液体温度控制的效率,提高工艺效果。
为实现本发明的目的而提供一种温控装置,用于调控半导体加工设备的工艺槽内工艺液体的温度,所述温控装置包括冷却组件、测温元件和调控组件;其中,
所述冷却组件的进液口与所述工艺槽的出液口连接,出液口与所述调控组件的第一入口连接;所述冷却组件用于将所述工艺槽的出液口输出的部分工艺液体进行冷却,并将冷却后的所述工艺液体输出到所述调控组件的第一入口;
所述测温元件设置在所述工艺槽内,用于测量所述工艺槽内的工艺液体的实时温度;
所述调控组件的第二入口与所述工艺槽的出液口连接,出口与所述工艺槽的回液口连接;所述调控组件用于根据所述测温元件测得的所述实时温度,调节经过所述第一入口和所述第二入口回流到所述工艺槽的工艺液体的流量。
优选的,还包括:储液槽;
所述储液槽的进液口与所述工艺槽的出液口连接,出液口分别与所述冷却组件的进液口和所述调控组件的第二入口连接;所述储液槽用于储存所述工艺槽流出的工艺液体。
优选的,还包括:循环泵;
所述循环泵的输入端与所述储液槽的出液口相连,输出端分别与所述冷却组件的进液口和所述调控组件的第二入口连接。
优选的,所述冷却组件包括:换热器和用于向所述换热器提供冷源的制冷器;其中,
所述换热器的输入端与所述循环泵的输出端连接,输出端与所述调控组件的第一入口连接;所述换热器用于将所述循环泵输出的工艺液体与冷源进行热交换,以冷却所述工艺液体,并将冷却后的所述工艺液体输出到所述调控组件的第一入口。
优选的,还包括:储液槽;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造