[发明专利]一种掺杂非晶硅的靶材及太阳能电池制备方法

权利要求书

1.一种掺杂非晶硅的靶材制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)预先把高纯硅粉料和掺杂元素按需求比例混合；

2)将基于步骤1)得到的混合物料转移到真空高温密封炉里生成硅和掺杂元素的合金，冷却取出后进行粉碎，清洗并筛选一定颗粒大小的粉末；

3)将基于步骤2)获得的粉末经过高温电弧喷枪用氩气等惰性气体作为载气喷射到作为基底的钢管上，从而获得均匀分布在钢管上的合金靶材。

2.根据权利要求1所述的一种掺杂非晶硅的靶材制备方法，其特征在于，步骤1)中，高纯硅粉料的纯度≥99.99％，掺杂元素为磷元素或者硼元素。

3.根据权利要求1所述的一种掺杂非晶硅的靶材制备方法，其特征在于，步骤2)中，获得的粉末粒径为50～200um。

4.根据权利要求3所述的一种掺杂非晶硅的靶材制备方法，其特征在于，步骤3)中，钢管在喷镀过程中多次反复旋转平移，合金靶材的厚度为3～10mm；其中，钢管的直径为50～300mm，长度为1000～4000mm；获得的靶材中掺杂元素的质量百分比含量为0.1～1.5％，且靶材中含氧量≤2000ppm，含氮量≤300ppm。

5.一种掺杂非晶硅的靶材制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)预先把高纯硅粉料和掺杂元素按需求比例混合；

2)用喷镀法把混合后的物料喷到靶芯表面形成合金靶材。

6.根据权利要求5所述的一种掺杂非晶硅的靶材制备方法，其特征在于，步骤1)中，高纯硅粉料的大小为：50～200目，纯度≥99.99％；掺杂元素为磷元素或者硼元素：大小为50～200目，纯度≥99.9％；且高纯硅粉料和掺杂元素混合后进行研磨均匀。

7.根据权利要求5所述的一种掺杂非晶硅的靶材制备方法，其特征在于，步骤2)中，靶芯为钢管或钛钢管，靶芯直径为50～300mm，长度为1000～4000mm；喷镀厚度为3～10mm；获得的靶材中掺杂元素的质量百分比含量为0.1～1.5％，且靶材中含氧量≤2000ppm，含氮量≤300ppm。

8.根据权利要求5所述的一种掺杂非晶硅的靶材制备方法，其特征在于，步骤2)中，喷镀时，把高温高压氩气和混合粉料混合，通过喷嘴喷出融熔态的液态粉并在靶芯表面形成合金靶材。

9.一种掺杂非晶硅的太阳能电池制备方法，其特征在于，基于权利要求1～8任一项获得的靶材，并采用PVD方法完成掺杂非晶硅镀膜，以在硅片表面形成原位掺杂非晶硅。