[发明专利]一种等离子体处理装置有效
申请号: | 201911346160.0 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN113035679B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 杨金全;黄允文 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;章丽娟 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,该装置包含:
真空反应腔,所述真空反应腔内具有上电极和下电极,所述上电极和下电极相对设置,所述上电极和下电极之间为等离子体环境;
隔离环,包围所述上电极,暴露于等离子体环境中;
射频屏蔽件,环绕设置于所述隔离环的外侧,并与所述隔离环连接;
若干个发热体,位于所述射频屏蔽件内,用于对隔离环进行加热;
若干个真空电极,分别与对应的所述发热体连接,为所述发热体供电;
若干个波纹管,一端与所述射频屏蔽件连接,另一端与所述真空反应腔的顶部连接。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述隔离环远离所述上电极一侧为台阶状结构,其包含:
上端部,环绕设置在所述上电极的外侧;
下端部,位于所述上端部的下方,由所述上端部自上而下向外扩散而得,两者之间为过渡部分。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述射频屏蔽件包括:
第一射频屏蔽件,与所述隔离环外侧的台阶状结构相匹配,所述第一射频屏蔽件内环绕开设有若干个凹槽,所述凹槽用于容纳所述发热体;
位于第一射频屏蔽件上的第二射频屏蔽件,与所述第一射频屏蔽件连接以将所述发热体包裹在所述凹槽内。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述第一射频屏蔽件、所述第二射频屏蔽件和所述隔离环之间的连接方式包括焊接或通过机械紧固装置连接。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述机械紧固装置为螺栓组件。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述射频屏蔽件包括隔离环外表面上的第一金属镀层和位于第一金属镀层上的第二金属镀层,所述发热体为位于第一金属镀层与第二金属镀层之间的发热体涂层,所述第一金属镀层与所述发热体涂层之间设置第一绝缘层,所述第二金属镀层与所述发热体涂层之间设置第二绝缘层。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述第一金属镀层为第一铝涂覆层,所述第二金属镀层为第二铝涂覆层。
8.如权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述发热体涂层的材料包含:石墨烯、碳纳米管或镍铬合金。
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述隔离环的材料包含石英、陶瓷中的至少一种;
所述射频屏蔽件的材料包含金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911346160.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。