[发明专利]一种氧化钕基的高温质子导体及其制备方法有效
申请号: | 201911346234.0 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111018526B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 丁玉石;厉英 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;C04B35/622 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 李珉 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 高温 质子 导体 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化钕基的高温质子导体的制备方法,其特征在于按以下步骤进行:
(1)准备Nd、A´和B元素的氧化物、碳酸盐或硝酸盐为原料;其中B元素为Y;全部原料中Nd、A´和B元素的摩尔比为(1-x): x: 1;x=0.05;A´元素为Na;
(2)将全部原料置于球磨罐中球磨混合,至平均粒径≤5μm,获得混合粉体I;
(3)将混合粉体I压制成块,压制成块的压制压力10MPa,然后在900℃煅烧16小时,随炉冷却至室温,获得煅烧物料;
(4)将煅烧物料置于球磨罐中球磨磨细,至平均粒径≤5μm,获得混合粉体II;
(5)将混合粉体II压制成块,压制成块的压制压力250MPa,然后在1300℃烧结16小时,随炉冷却至室温,制成氧化钕基的高温质子导体;氧化钕基的高温质子导体为钙钛矿材料,分子式为Nd1-xA´xYO3-α,3-α取值随总价态配平,其在500~900℃时电导率≤1.25×10-3S/cm,在500~800℃时质子迁移数0.90。
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