[发明专利]用于真空设备的调平机构和等离子体处理装置

说明书

本发明适用于半导体刻蚀领域，公开了用于真空设备的调平机构和等离子体处理装置，用于真空设备的调平机构包括至少一个间隙调节件和设置于间隙调节件外周的密封波纹管，间隙调节件包括双层螺栓和套设于双层螺栓外周的真空波纹管，双层螺栓的两端分别连接第一部件和第二部件。通过设置多个间隙调节件，具体通过真空波纹管与双层螺栓的组合设计，使得能够通过调控对应的双层螺栓至少部分地调节第一部件和第二部件之间的距离，进而实现在真空设备中通过设置多个间隙调节件调节对应的双层螺栓来改变两部件之间的部分距离，另外，在间隙调节件的外周设置密封波纹管，防止真空设备中的气体泄漏，保证了气密性。

技术领域

本发明涉及半导体刻蚀技术领域，尤其涉及一种用于真空设备的调平机构和等离子体处理装置。

背景技术

半导体器件的生产过程中需要在各种各样的半导体生产设备中完成，其中，半导体生产设备包括真空处理设备，真空设备是指在真空或者减压状态下处理半导体基片的处理设备，现有的调节部件之间的距离的装置应用于真空设备中，例如将该半导体刻蚀工艺上，用以改变上下电极两部件间距，进而改善等离子体的分布状况，但仍不能解决普遍存在的等离子体反应时分布不均匀即刻蚀偏单边的现象，且这种现象也没有显著的提高或改善。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种用于真空设备的调平机构，其旨在解决在真空设备中调节两部件之间的距离以及气密性不佳的技术问题。

为达到上述目的，本发明提供的方案是：

一种用于真空设备的调平机构，所述调平机构包括至少一个间隙调节件和设置于所述间隙调节件外周的密封波纹管，所述间隙调节件包括双层螺栓和套设于所述双层螺栓外周的真空波纹管，所述双层螺栓的两端分别连接第一部件和第二部件，使得能够通过调控所述双层螺栓至少部分地调节所述第一部件和所述第二部件之间的距离。

可选地，至少部分所述第一部件和/或至少部分所述第二部件置于真空环境中。

本发明的第二个目的在于提供一种等离子体处理装置，其旨在解决现有半导体工艺刻蚀出现偏单边现象的技术问题。

为达到上述目的，本发明提供的方案是：

一种等离子体处理装置，包括：

真空反应腔，用于供所述等离子体反应；

下电极组件，位于所述真空反应腔底部，用于承载待处理基片；

上电极组件，与所述下电极组件相对设置，用于向所述真空反应腔内输送工艺气体；

上述的调平机构，用于至少部分地调节所述上电极组件和所述下电极组件之间的距离。

可选地，所述上电极组件包括安装基座和设于所述安装基座底部的喷淋头，所述安装基座具有延伸于所述真空反应腔内的内延部和延伸于所述真空反应腔外的外延部。

可选地，所述等离子体处理装置还包括相对设置于所述外延部下方的盖板和设置于所述喷淋头外周的接地环。

进一步地，所述第一部件包括所述安装基座；且/或，

所述第二部件包括所述盖板、所述接地环和所述喷淋头。

可选地，所述双层螺栓包括一端延伸穿设于所述盖板下方且另一端延伸穿设于所述外延部上方的螺杆、设于所述盖板下方并与所述螺杆连接的固定螺母、设于所述外延部上方并与所述螺杆连接的调节螺母，所述真空波纹管和所述密封波纹管的两端都分别与所述外延部和所述盖板连接。

进一步地，在所述密封波纹管的两端分别与所述外延部和所述盖板的连接处设有密封环；且/或，

所述外延部的竖直侧壁与所述盖板之间设有弹性垫片。