[发明专利]一种暴露半导体多晶层的方法在审
| 申请号： | 201911349353.1 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111122277A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 周炳;付国振;赵承杰 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 暴露 半导体 多晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种暴露半导体多晶层的方法，其特征在于，该方法包括：
提供半导体样品，所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层；
用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层；
用超声波振荡去除所述半导体衬底，暴露出所述半导体多晶层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述氧化层为二氧化硅层，所述半导体多晶层为多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体样品为电容元件或电阻元件。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层包括：将所述半导体样品在所述化学溶液中浸泡8～20小时。
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