[发明专利]一种CMOS反相器的制备方法在审
| 申请号： | 201911349982.4 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111128680A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞;陈书志;李佳育 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/34;H01L51/40;H01L27/28 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 反相器 制备 方法 | ||
1.一种CMOS反相器的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上印刷氧化物墨水，对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理，使所述氧化物墨水发生反应，以得到第一有源层；所述氧化物墨水为硝酸铟和硝酸锌的混合溶液；
在所述基底上制作第一源极和第一漏极，并在所述第一源极和所述第一漏极之间印刷碳管墨水，形成第二有源层，以得到第一薄膜晶体管；所述碳管墨水包括半导体碳纳米管和聚合物，且所述聚合物包裹所述半导体碳纳米管；
在所述第一有源层的两侧制作第二源极和第二漏极，以得到第二薄膜晶体管；
在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间形成导线，以得到CMOS反相器。
2.根据权利要求1所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，所述氧化物墨水的浓度范围为0.1mol/L-0.4mol/L。
3.根据权利要求1所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，所述硝酸铟与所述硝酸锌的摩尔比为1:1。
4.根据权利要求1所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，所述碳管墨水的浓度范围为0.0001mg/mL-1mg/mL。
5.根据权利要求1所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，所述在基底上印刷氧化物墨水的步骤之前，所述对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理的步骤之前，所述方法还包括：
对所述印刷有氧化物墨水的基底进行加热。
6.根据权利要求5所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，所述对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理的步骤包括：
采用加热设备对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火，所述加热设备的温度范围为250℃-350℃。
7.根据权利要求1所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，所述在基底上印刷氧化物墨水的步骤之前，所述方法还包括：
采用紫外线或者等离子体对所述基底进行清洗。
8.根据权利要求1所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，所述基底包括基片和位于所述基片上的绝缘层，所述绝缘层的材料包括HfO2、Al2O3、SiO2中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为50nm-100nm。
10.根据权利要求1所述的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，
所述基底还包括栅极，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用所述栅极。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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