[发明专利]一种二甲基二氯硅烷、其制备方法及其制备装置

权利要求书

1.一种制备二甲基二氯硅烷的方法，其特征在于，包括：

S110：将包括二氯二氢硅的原料气化以得到第一气体；

S120：将氯甲烷气化以得到第二气体；

S130：将第一气体与第二气体混合；

S140：将混合气体通入反应器中进行反应得到反应产物；以及

S150：将反应产物进行精馏提纯，获得二甲基二氯硅烷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S110中的二氯二氢硅来自生产多晶硅所得副产物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S110中得到的第一气体中还包含三氯氢硅和三氯化硼。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S140的反应器中装有催化剂，混合气体在催化剂作用下进行反应得到反应产物，

其中，所述催化剂为硅、铜、镍、锌、铝、钌和铜、镍、锌、铝、钌的卤化物中的至少一种，并且

所述催化剂与所述二氯二氢硅的质量比为1:20-1:100。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述铜、镍、锌、铝、钌的卤化物为氯化铜、氯化镍、氯化锌、氯化铝、氯化钌。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S140中，所述二氯二氢硅与氯甲烷的摩尔比为1:2至1:2.5，并且

所述反应产物包括二甲基二氯硅烷以及作为副产物的一甲基三氯硅烷、三甲基氯硅烷和一甲基二氯硅烷，

其中，基于反应产物的总重量，二甲基二氯硅烷的质量百分比为45-80％，一甲基三氯硅烷的质量百分比为15-35％，三甲基氯硅烷的质量百分比为1-5％，一甲基二氯硅烷的质量百分比为3-15％。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S110的气化温度在130-160℃的范围内，所述步骤S120的气化温度在80-100℃的范围内，所述步骤S140反应器中进行反应的反应温度为200-500℃，反应压力为0.5-2.0MPa，反应时间为2-4h。

8.一种二甲基二氯硅烷，其特征在于，其按照权利要求1-7中任一项所述的方法所制得。

9.一种制备二甲基二氯硅烷的装置，包括：

第一气化装置，其用于将包括二氯二氢硅的原料气化以得到第一气体；

第二气化装置，其用于将氯甲烷气化以得到第二气体；

气气混合装置(9)，其用于将第一气化装置和第二气化装置输出的第一气体和第二气体进行混合以得到混合气体；

反应器(10)，其用于接收从气气混合装置(9)输出的混合气体，使混合气体进行反应；以及

精馏装置，其用于将反应器中所得到的反应产物进行精馏提纯，获得二甲基二氯硅烷。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述第一气化装置和第二气化装置中的每个包括进口管线(1、5)、缓冲气化罐(2、6)、加热装置(3、7)和流量计(4、8)，所述二氯二氢硅或氯甲烷分别通过进口管线(1、5)分别压入缓冲气化罐(2、6)内，通过加热装置(3、7)加热气化，并通过位于第一气化装置或第二气化装置与气气混合装置(9)之间的流量计(4、8)来控制输送到气气混合装置中的气体流量，

所述反应器(10)为固定床反应器，并包括加热装置(11)和反应气体出口管线(12)，并且

所述气气混合装置(9)为文丘里气体混合器，

所述精馏装置为板式精馏塔。