[发明专利]磁阻存储器中的冗余磁性隧道结

权利要求书

1.一种磁阻存储器，包括：

存储器单元，所述存储器单元存储单个数据位，所述存储器单元包括：

第一磁性隧道结，所述第一磁性隧道结具有第一电阻；和

第二磁性隧道结，所述第二磁性隧道结具有第二电阻，其中，所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结串联耦接；以及

存取电路系统，所述存取电路系统耦接到所述存储器单元，其中，所述存取电路系统被配置为基于所述第一电阻和所述第二电阻之和来确定存储在所述存储器单元中的所述单个数据位。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一电阻和所述第二电阻中的一个对应于处于缺陷状态的磁性隧道结的电阻。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存取电路系统包括：

电流源，所述电流源配置为引发通过所述存储器单元的电流；

电阻测量电路，所述电阻测量电路配置为：

在所述电流源引发通过所述存储器单元的第一电流以创建所述存储器单元中的第一状态之前，检测所述存储器单元两端的第一存储器单元电阻；并且

在引发所述第一电流之后，检测所述存储器单元两端的第二存储器单元电阻；以及

比较器，所述比较器与所述电阻测量电路耦接，所述比较器配置为基于所述第一存储器单元电阻和所述第二存储器单元电阻之间的差异来确定存储在所述存储器单元中的所述单个数据位。

4.根据权利要求3所述的存储器，其中，所述存取电路系统的所述电流源进一步配置为引发在第一方向上通过所述存储器单元的第一写入电流和在第二方向上通过所述存储器单元的第二写入电流，其中，所述第一写入电流存储第一数据值并且所述第二写入电流存储第二数据值。

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述第一写入电流通过只改变所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结中的一个的状态来存储第一位值。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器单元被包括在所述磁阻存储器中的存储器单元的阵列中，所述存储器单元的阵列中的每个存储器单元都存储对应的单个数据位，其中，所述存储器单元的阵列中的至少一个存储器单元包括有缺陷的磁性隧道结，并且其中所述存取电路系统被配置为确定存储在所述存储器单元的阵列中的每个存储器单元中的对应的单个数据位，包括存储在包括有缺陷的磁性隧道结的所述至少一个存储器单元中的对应的单个数据位。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结的结构大致相似。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结具有不同的物理尺寸。

9.根据权利要求1所述的存储器，其中，在所述存储器内，所述第一磁性隧道结垂直地偏离所述第二磁性隧道结。

10.根据权利要求1所述的存储器，其中，在所述存储器内，所述第一磁性隧道结水平地偏离所述第二磁性隧道结。

11.根据权利要求1所述的存储器，其中，使用所述存储器内的层间电介质内的导体，将所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结串联耦接。