[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；

所述第二氧化物半导体层上的第二绝缘体；

设置在所述第二绝缘体中的开口中的栅电极；以及

设置在所述第二氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘体，

其中，在沟道宽度方向的截面中，所述栅电极的底面具有不与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层重叠的区域，并且

所述栅电极的所述底面的所述区域位于所述第一氧化物半导体层的底面之下。

2.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二绝缘体；

设置在所述第二绝缘体中的开口中的栅电极；

设置在所述第一氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘体；以及

设置在所述第一氧化物半导体层和所述栅电极之间的第二氧化物半导体层，

其中，在沟道宽度方向的截面中，所述栅电极的底面具有不与所述第一氧化物半导体层重叠的区域，并且

所述栅电极的所述底面的所述区域位于所述第一氧化物半导体层的底面之下。

3.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；

与所述第二氧化物半导体层接触的源电极以及漏电极；

覆盖所述源电极以及所述漏电极的第二绝缘体，所述第二绝缘体具有到达所述第二氧化物半导体层的开口；

设置在所述第二绝缘体的所述开口中的栅极绝缘体；以及

隔着所述栅极绝缘体而设置在所述第二绝缘体中的所述开口中的栅电极，

其中，在沟道宽度方向的截面中，所述栅电极的底面具有不与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层重叠的区域，并且

所述栅电极的所述底面的所述区域位于所述第一氧化物半导体层的底面之下。

4.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；

所述第二氧化物半导体层上的第二绝缘体；

设置在所述第二绝缘体中的开口中的栅电极；

设置在所述第二氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘体；以及

设置在所述第二氧化物半导体层和所述栅极绝缘体之间的第三氧化物半导体层，

其中，在沟道宽度方向的截面中，所述栅电极的底面具有不与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层重叠的区域，并且

所述栅电极的所述底面的所述区域位于所述第一氧化物半导体层的底面之下。

5.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；

与所述第二氧化物半导体层接触的源电极以及漏电极；

覆盖所述源电极及所述漏电极的第二绝缘体，所述第二绝缘体具有所述第二氧化物半导体层上的开口；

设置在所述第二绝缘体的所述开口中的第三氧化物半导体层；

覆盖所述第三氧化物半导体层的栅极绝缘体；以及

隔着所述第三氧化物半导体层及所述栅极绝缘体而设置在所述第二绝缘体的所述开口中的栅电极，

其中，在沟道宽度方向的截面中，所述栅电极的底面具有不与所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层重叠的区域，并且

所述栅电极的所述底面的所述区域位于所述第一氧化物半导体层的底面之下。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体层设置在所述第一绝缘体的凸部上并且与所述第一绝缘体的凸部接触。

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层与所述第一绝缘体的凸部重叠。