[发明专利]用于制造半导体器件的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在绝缘层之上形成氧化物半导体层；

在氮气气氛或稀有气体气氛下以等于或高于400℃的温度加热所述氧化物半导体层，由此所述氧化物半导体层的载流子浓度等于或高于1×10¹⁸cm^-3；以及

在所述氧化物半导体层的一部分之上并且与所述氧化物半导体层的所述部分接触地形成氧化物绝缘层，由此所述氧化物半导体层的所述部分中的载流子浓度低于1×10¹⁸cm^-3。

2.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

形成第一导电层；

在所述第一导电层之上形成氧化物半导体层；

在氮气气氛或稀有气体气氛下以等于或高于400℃的温度加热所述氧化物半导体层，由此所述氧化物半导体层中的载流子浓度等于或高于1×10¹⁸cm^-3；

在所述氧化物半导体层的一部分之上并且与所述氧化物半导体层的所述部分接触地形成氧化物绝缘层，由此所述氧化物半导体层的所述部分中的载流子浓度低于1×10¹⁸cm^-3；以及

在所述氧化物绝缘层之上形成第二导电层，

其中所述第二导电层与所述第一导电层以及所述氧化物半导体层重叠。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，进一步包括在所述氮气气氛或所述稀有气体气氛下加热所述氧化物半导体层之后，在氧气气氛下加热所述氧化物半导体层的步骤。

4.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述第一导电层与所述第二导电层彼此电连接。

5.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述氧化物半导体层中的氢浓度低于3×10²⁰cm^-3。

6.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，进一步包括在形成所述氧化物绝缘层之前，在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层的步骤。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述源电极层和所述漏电极层包括选自钛和钼的材料。

8.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述氧化物半导体层包括晶体。

9.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述氧化物半导体层包括铟和锌。

10.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述氧化物半导体层包括选自以下所组成的组的材料：In-Sn-Zn-O基氧化物半导体、In-Al-Zn-O基氧化物半导体、Sn-Ga-Zn-O基氧化物半导体、Al-Ga-Zn-O基氧化物半导体、Sn-Al-Zn-O基氧化物半导体、In-Zn-O基氧化物半导体、In-Ga-O基氧化物半导体、Sn-Zn-O基氧化物半导体、Al-Zn-O基氧化物半导体、In-O基氧化物半导体、Sn-O基氧化物半导体和Zn-O基氧化物半导体。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

形成氧化物半导体层；

通过在氮气气氛下以等于或高于400℃并且等于或低于600℃的温度加热所述氧化物半导体层，进行减少所述氧化物半导体层中的氢的处理；

形成与所述氧化物半导体层的第一区域重叠的源电极层以及与所述氧化物半导体层的第二区域重叠的漏电极层；以及

通过形成与所述氧化物半导体层的第三区域接触的氧化物绝缘层，将氧引入所述氧化物半导体层的所述第三区域中，

其中所述第三区域的电阻高于所述第一区域和所述第二区域中的每一个的电阻。