[发明专利]非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器

权利要求书

1.一种非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器，上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8)自上而下依次沿器件主轴线同轴排列，上电极(1)、氧化物限制层(4)的形状为内径相同或者接近的环形，上电极(1)的环形内孔成为出光窗口；欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)以及有源增益区(5)是一个圆柱形实体；上分布布拉格反射镜(3)通过氧化物限制层(4)的环形内孔与有源增益区(5)相接；其特征在于，所述圆柱形实体的中间部分是一个以离子注入方式形成的齐顶偏心高阻区(11)，所述齐顶偏心高阻区(11)呈近似圆柱状，齐顶偏心高阻区(11)的顶面与欧姆接触层(2)的顶面平齐，齐顶偏心高阻区(11)的底面与下分布布拉格反射镜(6)的内镜面接触，齐顶偏心高阻区(11)的垂直轴线与所述器件主轴线平行且相距偏心距δ，偏心距δ＝10μm～20μm；所述上电极(1)和氧化物限制层(4)的环形的外径与所述圆柱形实体的直径相同；整形层(12)位于齐顶偏心高阻区(11)的顶面位置，整形层(12)的形状和径向尺度与齐顶偏心高阻区(11)的顶面的形状和径向尺度相同，整形层(12)的厚度和材质与上电极(1)相同。