[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

基板，具有光射出面和侧面；

第一导电型半导体层，与所述光射出面对向而布置于所述基板之下；

台面，布置于所述第一导电型半导体层之下，且包括活性层和第二导电型半导体层；

欧姆反射层，覆盖所述第二导电型半导体层；

下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；

第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层之上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；

第一凸块焊盘，与所述第一导电型半导体层电连接；

第二凸块焊盘，与所述第二导电型半导体层电连接；

波长转换器，布置于所述基板之上；以及

侧面反射层，覆盖所述基板的侧面和所述第一导电型半导体层的侧面，

其中，所述侧面反射层在水平方向上与所述第一焊盘金属层隔开，从而与所述第一焊盘金属层不重叠，

其中，所述发光二极管还包括：覆盖所述波长转换器和所述侧面反射层的白色势垒层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述波长转换器为多个波长转换器。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，

所述多个波长转换器包括波长转换片和陶瓷片荧光体。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述侧面反射层一部分位于所述基板的上表面之上。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述白色势垒层在硅树脂或者环氧树脂混合二氧化钛等而形成。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述白色势垒层的上表面和所述波长转换器的上表面是共面的。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述基板是氮化镓系基板，

从所述活性层至所述基板的上表面的所有层利用氮化镓系半导体构成，

从所述活性层至所述基板的上表面的距离是50um以上。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括：

绝缘层，介于所述侧面反射层之间。

9.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，

所述多个波长转换器包含彼此不同的荧光体。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，还包括：

粗糙面，形成与所述基板的上表面，

其中，所述粗糙面形成于被所述平坦面所分离的区域，

所述多个波长转换器分别布置于所述分离的区域。