[发明专利]一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法在审
| 申请号： | 201911353312.X | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111005067A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 陈城钊;李云;邱胜桦;刘翠青 | 申请（专利权）人： | 韩山师范学院 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/08;C30B33/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 521041 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 低位 密度 硅基锗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法，其特征在于：利用减压化学气相沉积系统外延生长，生长气源为高纯乙锗烷和氢气，P型Si衬底经过标准RCA清洗后传入真空进样室，开始生长时，硅片再传入生长室，缓慢加热衬底并在氢气中保持一段时间，去除硅片上的氧原子污染物形成清洁的生长表面，去氧后降低衬底温度开始生长。
2.按照权利要求1所述一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法，其特征在于：所述生长的过程为先生长锗层，再将温度升高进行氢气气氛中的高温退火。
3.按照权利要求1所述一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法，其特征在于：采用150mm所述P型Si衬底，电阻率为4-10Ω·cm，经过标准RCA清洗后传入真空进样室，开始生长时，硅片再传入生长室，缓慢加热衬底到1000℃保持并在氢气中保持2分钟，去除硅片上的氧原子等污染物形成清洁的生长表面，在此过程中真空保持在104Pa。
4.按照权利要求1所述一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法，其特征在于：所述生长的过程为先在400℃下生长锗层，再以6.5℃/分钟的升温速率，将温度升高到650℃或850℃进行氢气气氛中的高温退火。
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