[发明专利]半导体热处理设备

说明书

本公开提供了一种半导体热处理设备，包括：装卸料腔室、工艺腔室、升降装置、晶片承载组件，其中，升降装置包括：承载基座，设置于装卸料腔室内，用于承载晶片承载组件；升降组件，贯穿装卸料腔室的顶壁且与顶壁密封设置，升降组件与承载基座连接，用于驱动承载基座进行升降运动，以将晶片承载组件移入工艺腔室或从工艺腔室中移出晶片承载组件。本公开的技术方案可实现通过使得升降装置在工艺炉内部完成升降动作，有效保证工艺炉内部的洁净度，同时满足工艺炉相应的密闭性要求。

技术领域

本公开涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种半导体热处理设备。

背景技术

目前，碳化硅(SiC)由于自身具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高等优良的物理化学性质，可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件。在国防、高科技、工业生产、供电、变电领域具有广阔的应用前景和市场空间，也因此碳化硅被看作是极具发展前景的第三代半导体材料。

现阶段碳化硅高温氧化炉和碳化硅高温退火炉均采用立式真空炉结构，炉门位于炉体底部，炉门上装载着工艺舟及其支撑附件，通过升降装置将炉门及其负载平稳的上升或下降，完成炉门开合动作，实现装卸料过程。碳化硅高温氧化工艺温度在1300℃以上，碳化硅高温退火工艺温度在1700℃以上。在开炉门过程中，虽然炉体内温度已经降到300℃以下，但对环境的辐射依旧很强，而且碳化硅工艺片在出炉过程中需要在充满氮气等惰性气体的洁净环境中保护，因此设置了装卸料腔室，炉门及其升降装置需要在装卸料腔室内完成升降动作，由此，升降装置需要尽可能满足真空密封和洁净环境的要求。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体热处理设备。

为实现上述目的，本公开实施例提供了一种半导体热处理设备，包括：装卸料腔室、工艺腔室、升降装置、晶片承载组件，所述升降装置包括：

承载基座，设置于所述装卸料腔室内，用于承载所述晶片承载组件；

升降组件，贯穿所述装卸料腔室的顶壁且与所述顶壁密封设置，所述升降组件与所述承载基座连接，用于驱动所述承载基座进行升降运动，以将所述晶片承载组件移入所述工艺腔室或从所述工艺腔室中移出所述晶片承载组件。

在一些实施例中，所述升降组件包括：驱动机构、升降连接件，其中，

所述升降连接件贯穿所述装卸料腔室的顶壁，一端位于所述装卸料腔室内且与所述承载基座连接，另一端位于所述装卸料腔室外且与所述驱动机构连接；

所述驱动机构，用于驱动所述升降连接件进行升降运动，以带动所述承载基座进行升降运动。

在一些实施例中，所述升降连接件包括：

直线导轨，贯穿所述装卸料腔室的顶壁，其一端位于所述装卸料腔室内且与所述承载基座连接；

滚珠丝杠，与所述直线导轨适配，其一端置于所述直线导轨内部，另一端与所述驱动机构连接，用于在所述驱动机构的驱动作用下进行旋转运动，以驱动所述直线导轨进行升降运动。

在一些实施例中，所述驱动机构包括：

传动基座，固定在所述半导体热处理设备的框架上，所述滚珠丝杠的端部贯穿所述传动基座；

驱动组件，位于所述传动基座上，与所述滚珠丝杠的端部连接，用于驱动所述滚珠丝杠进行旋转运动。

在一些实施例中，所述升降连接件的数量为至少两个；

所述驱动组件包括：

驱动电机，位于所述传动基座朝向所述直线导轨的一侧，其输出转动轴贯穿所述传动基座；

主动带轮，位于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧且套设于所述输出转动轴上，用于跟随所述输出转动轴进行旋转；