[发明专利]薄膜晶体管的图案制作方法、薄膜晶体管以及光罩有效
申请号: | 201911354912.8 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN111128878B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 钟舒婷;张宁 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 图案 制作方法 以及 | ||
薄膜晶体管的图案制作方法、薄膜晶体管以及光罩。本申请公开一种TFT的图案制作方法以及光罩,用于使光通过位于TFT上方的光罩上设置的与TFT位置对应的孔,在TFT上产生两种及以上光阻叠加,抵消半导体AS层上的反射光,保证TFT正常工作。本申请实施例方法包括:TFT接收喷涂装置涂布第一光阻;TFT通过第一类型的光罩接收第一次曝光;TFT进行第一次显影形成第一图案;TFT接收喷涂装置在第一图案上涂布第二光阻;TFT通过第二类型的光罩接收第二次曝光;TFT进行第二次显影形成第二图案;TFT接收喷涂装置在第二图案上涂布第三光阻;TFT通过第三类型的光罩接收第三次曝光;TFT进行第三次显影形成目标图案,其中在三种类型的其中两个类型中,在两列像素的遮光层上,至少有一列像素的遮光层上开设有孔。
技术领域
本申请涉及液晶显示技术领域,具体涉及一种薄膜晶体管的图案的制作方法、薄膜晶体管以及光罩。
背景技术
光罩由石英玻璃作为衬底,在其上面镀上一层金属铬和感光胶,成为一种感光材料,把已制作好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上,被曝光的区域会被显影出来,在金属铬上形成电路图形,成为类似曝光后的底片的光罩。光罩的生产加工工序为:曝光,显影,去感光胶,最后应用于光蚀刻。而其中,薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)为薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)的阵列基板上的TFT区域。TFT-LCD的面板可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶,上层的玻璃基板是彩色滤光片,而下层的玻璃则有晶体管镶嵌在玻璃上。上层玻璃因与彩色滤光片贴合,形成每个像素各包含红蓝绿三颜色的子像素,这些发出红蓝绿色彩的像素便构成了面板上的视频画面。
目前已知的TFT的图案制作方法中,在TFT上方覆盖有光罩,该光罩通常由覆盖在至少两组像素色块上的子光罩组成,每组像素色块由红(R)、绿(G)、蓝(B)色各一列子像素组合而成,并且,光罩由3N个相邻的不同时点接收曝光装置曝光时对应的三种类型构成,其中,N≥1,该方法包括如下步骤:
S1:TFT接收喷涂装置涂布第一光阻;
S2:TFT通过第一类型的光罩接收曝光装置的第一次曝光,该第一类型为在像素色块中,第一列子像素上方无遮光层,第二列子像素和第三列子像素上方均有遮光层;
S3:TFT进行第一次显影,形成第一图案;
S4:TFT接收喷涂装置在第一图案上涂布第二光阻;
S5:TFT通过第二类型的光罩接收曝光装置的第二次曝光,该第二类型为第二列子像素上方无遮光层,第一列子像素和第二列子像素上方均有遮光层;
S6:TFT进行第二次显影,形成第二图案;
S7:TFT接收喷涂装置在第二图案上涂布第三光阻;
S8:TFT通过第三类型的光罩接收曝光装置的第三次曝光,该第三类型为第三列子像素上方无遮光层,第一列子像素和第二列子像素上方均有遮光层;
S9:TFT进行第三次显影,形成目标图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造