[发明专利]一种相变材料纳米线及其制备方法

权利要求书

1.一种相变材料纳米线的制备方法，其特征在于，该方法是：在绝缘纳米线表面负载一层或多层相变材料，得到所述相变材料纳米线；或者在绝缘纳米线表面负载一层或多层相变材料后，再在相变材料上负载一层绝缘保护层，得到所述相变材料纳米线；其中：

所述相变材料为三元Ge₂Sb₂Te、GeSb₂Te₄、GeSb₄Te₇、二元GeTe或Sb₂Te₃；

所述负载一层或多层相变材料，采用磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发溅射或蒸发方式，使其包覆在绝缘纳米线外表面；或者采用分子束外延、化学气相沉积或原子层沉积，逐层生长相变材料薄膜，使其包覆在绝缘纳米线外表面；或者采用热蒸发的方法，将生长有相变薄膜材料的硅衬底与绝缘纳米线一起密封在真空石英管中，通过加热至相变材料挥发，使其包覆在绝缘纳米线外表面；

所述绝缘保护层材料为氧化硅、氧化镍、氧化钛、氧化铝或氮化硅；

所述负载绝缘保护层，采用磁控溅射、分子束外延、化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积、电子束蒸发或热蒸发，将绝缘保护层包覆在相变材料外表面。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘纳米线为氧化硅纳米线、氧化镍纳米线、二氧化钛纳米线或氧化铝纳米线。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述负载相变材料的厚度为1-100nm，所述绝缘保护层的厚度为1-100nm。

4.一种权利要求1所述方法制得的相变材料纳米线。